纳米Si/SiNx薄膜的制备及对Nd:YAG激光器的被动调Q

为了研究纳米硅镶嵌氮化硅(nanoscale-Si-particle embedded in silicon nitride thin films,简称nc-Si/SiNX)薄膜材料的被动调Q特性，采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜。用该样品作为可饱和吸收体，在凹—平腔中实现了氙灯抽运Nd:YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出。并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数，如：抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响。在此基础上，对实验现象产生的原因做了分析讨论。结果表明，nc-Si/SiNX薄膜有一定的调Q效果，具有潜在的研究及应用价值。     

SESAM实现脉冲式Nd:YAG激光器的被动锁模特性研究

利用半导体可饱和吸收镜(SESAM) ,实现了脉冲式Nd:YAG激光器1.06 μm激光的被动锁模，获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出。经自相关实验装置测量,其锁模激光脉冲宽度大约为48.2 ps，脉冲序列的能量为24 mJ,实验采用直腔结构的谐振腔,该腔结构简单,易于调整。理论上分析了1.06 μm SESAM结构及被动锁模基本原理，计算并模拟了半导体可饱和吸收镜中 DBR不同周期时对应反射谱图以及不同周期时中心频率处DBR的反射率曲线，同时模拟出了DBR中电场强度的分布图。     

1342nm激光输出的LD端面抽运Nd:YVO4激光器

研究大功率激光二极管端面抽运的Nd:YVO4连续波1342nm激光器的输出特性.实验结果表明,小功率抽运时,激光器的输出功率基本随抽运功率线性增加;当抽运功率超过一定值时,斜率效率下降,对于长腔斜率效率下降更为明显,甚至出现输出功率降低.通过对晶体中的振荡激光基模半径和热致衍射损耗计算得出:高抽运功率下,热效应影响了激光器的输出功率,为了获得最大的输出功率,激光晶体内不考虑热效应时的基模半径与抽运激光光束尺寸的比值ω/ωp在0.8～0.9之间最佳,而且抽运功率越大,比值越小.理论分析与实验结果基本一致.     

非高斯噪声中信号的神经网络检测

本文研究了非高斯噪声中信号的检测，采用多层感知器神经网络作为检测器。介绍了工作原理，网络结构和训练算法。计算机仿真证明在非高斯噪声条件下神经网络检测器性能优于线性最佳匹配滤波器检测器和局部最佳检测器。     

钱塘江强潮顶冲地段围堰的施工

针对钱塘江赫山湾段涌潮影响大、涂面高程低的特点，阐述了围堰结构设计、围堰施工时促使钱塘江涂面自然淤高所采取的技术措施及围堰施工方法。     

非高斯噪声中信号的神经网络检测

本文研究了非高斯噪声中信号的检测，采用多层感知器神经网络作为检测器。介绍了工作原理，网络结构和训练算法。计算机仿真证明在非高斯噪声条件下神经网络检测器性能优于线性最佳匹配滤波器检测器和局部最佳检测器。     

SESAM实现脉冲式Nd∶YAG激光器的被动锁模特性研究

为了研究半导体可饱和吸收镜的被动锁模特性,采用中科院半导体所提供的半导体可饱和吸收镜,实现了脉冲式Nd:YAG激光器1.06μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出.经自相关实验装置测量,其锁模激光脉冲宽度大约为48.2ps,脉冲序列的能量为24mJ,实验中采用直腔结构的谐振腔,该腔结构简单、易于调整.理论上分析了1.06μm半导体可饱和吸收镜结构及被动锁模基本原理,计算并模拟了半导体可饱和吸收镜中布喇格反射层不同周期时对应的反射谱图以及不同周期时中心频率处布喇格反射层的反射率曲线.结果表明,随着布喇格反射层周期数的增加,其中心波长处的反射率也随着增加.当周期数大于13时,其中心波长反射率超过99%.半导体可饱和吸收镜是实现Nd:YAG激光器的被动锁模的理想锁模器件.     

纳米Si／SiNx薄膜的制备及对Nd∶YAG激光器的被动调Q

为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性，采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜，用该样品作为可饱和吸收体，在凹－平腔中实现了氙灯抽运Nd∶YAG激光器的被动调Q运转，在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出。并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数，如抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响。在此基础上，对实验现象产生的原因做了分析讨论。结果表明，纳米硅镶嵌氮化硅薄膜有一定的调Q效果，具有潜在的研究及应用价值。     

纳米Si镶嵌SiNx薄膜实现Nd∶YAG激光器被动锁模

采用射频磁控溅射技术和热退火处理技术制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiNx薄膜(nc-Si-SiNx),薄膜厚度为200 nm.由X射线衍射(XRD)谱计算得出,经800℃连续3 h退火的薄膜中的Si晶粒平均尺寸为1.7 nm.把纳米Si镶嵌SiNx薄膜作为可饱和吸收体插入闪光灯抽运的平凹腔Nd∶YAG激光器内,实现1.06μm激光的被动锁模运转.当激光器腔长为120 cm时,获得平均脉冲宽度32 ps,输出能量25 mJ的单脉冲序列,脉冲序列的包络时间约480 ns,锁模调制深度接近100%.量子限域效应使得纳米Si的能隙宽度大于1.06μm光子能量,所以双光子饱和吸收和光生载流子的快速能量弛豫是导致纳米Si镶嵌SiNx薄膜实现1.06μm激光被动锁模的主要原因.