A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process

We present a monolithic ultraviolet(UV) image sensor based on a standard CMOS process.A compact UV sensitive device structure is designed as a pixel for the image sensor.This UV image sensor consists of a CMOS pixel array,high-voltage switches,a readout circuit and a digital control circuit.A 16×16 image sensor prototype chip is implemented in a 0.18μm standard CMOS logic process.The pixel and image sensor were measured. Experimental results demonstrate that the image sensor has a high sensitivity of 0.072 V/(mJ/cm~2) and can capture a UV image.It is suitable for large-scale monolithic bio-medical and space applications.     

一种休眠机制下无线传感器网络的自治愈方法

为减少无线传感器网络(WSNs)大规模应用中出现的节点同步失效、数据丢失的问题,通过对现有WSNs应用系统的研究,提出了一种全网节点同步休眠机制下WSNs的自治愈方法.详细介绍了该方法的设计思路、实现方法及测试过程.测试结果表明:此方法可针对数据丢失和时间同步失效的节点进行节点自救,实现丢失节点的再入网、再同步,提高WSNs系统的稳定性,为WSNs的应用提供更好的条件.     

一种基于标准CMOS工艺的新型单片集成紫外图像传感器

我们提出了一种基于标准CMOS工艺的浮栅紫外图像传感器。传感器单元是由一个非常紧凑的紫外线灵敏器件构成。整个紫外图像传感器有一CMOS像素单元阵列、高压开关、读出电路和数字控制等部分组成。在一0.18μm标准工艺上实现了1个1616的图像传感器芯片。我们对传感器单元和阵列进行了测试,测试结果表明传感器的灵敏度为0.072 V/(mJ/cm2),并且可以获得紫外图像。此紫外图像传感器适合于大规模集成的生物医药和太空探测等领域。     

低成本LED智能照明系统的设计

提出了一套LED智能照明系统的设计方案,给出了系统的设计思路和具体电路的实现方法。人体红外感应模块和环境亮度感应采集环境信号,通过LED驱动电路、开关控制电路和调光控制电路共同控制LED灯珠的状态。控制系统采用低成本纯模拟电路设计,非基于单片机的控制方案。测试结果表明,系统长时间运行稳定,照明效果良好,高效节能,省电70%以上,在室内照明和室外景观中都有一定的应用前景。     

无源温度标签中的超低功耗CMOS温度传感器设计

设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路.该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和∑-△调制相结合的模拟数字转换方式.为了降低电源电压波动以及采样电容电荷泄漏对传感器测温精度的不利影响,提出了一种具有漏电保护机制的采样电路.基于0.18 μm CMOS工艺设计实现了该传感器的电路和版图,其中版图面积为550 μm×450 μm,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真.仿真结果表明,在-40～ 125℃,传感器的系统误差为-1.4～2.0℃,测温分辨率达到0.02℃;在1.2～2.6 V电源电压内,传感器输出温度波动小于0.3℃;在1.2V电源电压下传感器电路(不合控制逻辑及数字滤波器)的功耗仅为2.4μW.     

基于电量检测的WSNs智能休眠方法

为使无线传感器网络（WSNs）中传感器节点的电池电量得到充分利用并降低传感节点能量消耗,提出了一种基于传感节点电量检测的WSNs智能休眠方法,以达到智能化管理WSNs传感节点电池电量的目的。详细地论述了WSNs智能休眠方法的设计思路和实现方法。测试结果表明：此休眠方法可＂智能＂地降低WSNs节点的功耗,为WSNs的进一步发展与应用奠定了一定的基础。     

不同升温热处理方式二氧化钒薄膜的制备与光学相变性能

采用双离子束溅射方法制备氧化钒薄膜,分别利用常规和快速两种升温方式对氧化钒薄膜进行热处理,利用傅里叶变换红外光谱技术对热处理后氧化钒薄膜的变温光学透射性能进行测试,并对5μm波长处透过率随温度的变化曲线进行相变特性分析.实验结果表明,经过常规和快速升温热处理后均获得了二氧化钒薄膜;快速升温热处理后得到的薄膜中二氧化钒晶粒较小,尺寸分布均匀;而常规升温热处理后的二氧化钒薄膜中晶粒尺寸分布较宽、常规和快速升温热处理后,氧化钒薄膜的光透过率均存在可逆突变特性,变化幅度均超过60%.相变性能分析结果表明,快速升温热处理获得的二氧化钒薄膜相变持续的温度宽度较大,光学相变温度为63.74℃,高于常规升温热处理的60.31℃.