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本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了衬底表面预处理时间对微晶硅薄膜的微结构及其生长的影响.实验结果表明:随衬底预处理时间(0~10 min)的延长,薄膜的晶化率从14%提高到44%;薄膜表面的硅团簇尺寸减小,在衬底预处理10 min时,薄膜表面的粗糙度较小.在衬底未预处理与预处理10 min时,在相同的沉积参数下,沉积两系列不同生长阶段硅薄膜的生长指数接近.原因是H等离子体预处理使衬底表面的原子氢增多,有利于成膜先驱物在衬底表面的迁移,影响薄膜的初期成核,使薄膜易于晶化. 相似文献
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光陷阱在晶硅太阳电池中的应用 总被引:5,自引:0,他引:5
为了提高太阳能电池的转换效率和降低成本,采用光陷阱是一种很有效的方法,如多孔硅可使入射光的反射率减小到5%左右。对实验室和国外几种实用性很强的光陷阱结构,如金字塔绒面、多孔硅、压花法、溶胶-凝胶等及其制作方法进行了综述。 相似文献
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响.研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的迁移率,而自由载流子浓度影响有限;影响掺磷纳米硅薄膜电导率的因素既包括磷掺杂产生的自由载流子,又包括迁移率,其输运过程可用量子点隧穿(HQD)模型合理解释.少量掺磷会促进晶化,但过量掺磷会引起晶格畸变,不利于晶化率和电导率的提高. 相似文献
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用于紫外光电导探测器的TiO2薄膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流反应磁控溅射的方法,制备了TiO2薄膜。用X射线衍射,原子力显微镜(AFM)和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,采用C/TiO2/ITO三层结构制备了TiO2光电导型紫外探测器,研究了它的光响应。初步实验结果表明:TiO2薄膜在4W的紫光灯辐射下,光电流可达2.1mA,10min的辐射时间内,光电流基本保持稳定,可见TiO2薄膜对紫外光有较高的灵敏度和稳定性,可作为一种良好的紫外光探测材料。 相似文献
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