光学多层介质膜与多量子阱集成器件

本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并与理论结果作了比较,二者附合得很好。这种器件可以发展成兼具调制、开关、双稳复合功能的反射式集成器件。     

单腔双接触结构激光器双稳特性研究

本文从多纵模速率方程出发,在取定考虑有K选择的抛物带间吸收,增益系数的基础上,采用数值方法,对单腔双接触结构激光器的双稳特性的产生机理,以及影响它的两个最主要参数(即双稳区注入宽度和开关时间)的各种因素作了系统的分析. 稳态分析结果表明多纵模的工作状态将使双稳区注入宽度减少,而减少吸收区电注入或增大吸收区体积等可使双稳区注入宽度增大.瞬态分析结果表明,双稳开关过程可分为两个阶段,第一阶段谱宽大并伴有大幅度跳模;第二阶段占时较长,对双稳开关时间有较大影响,可通过加大增益区电注入来减少振荡衰减时间. 本工作为设计双稳器件,提高器件性能提供了基础.     

基于矢量光场的VCSEL数值模型

提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型VCSEL 的数值模型,在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、载流子方程的前提下,采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述,计算表明所得结果能够更合理地反映器件实际的工作状态.文中还进一步将上述矢量场方程与传输矩阵法和时域有限差分法相结合,通过计算获得器件中光场的详细信息.     

三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元

半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦合后,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况.结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为.随着微腔半径的变化,极化激元的三支所体现的模     

反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

以ＳＦ６／Ｎ２混合气体对Ｓｉ反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法：在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络该当建立干法刻蚀仿真模型,可以预测绘定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关。     

Ultralow Threshold Red Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

ＲｅｄＡｌＧａＩｎＰｖｅｒｔｉｃａｌｃａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅｅｍｉｔｔｉｎｇｌａｓｅｒｓ（ＶＣＳＥＬｓ）ａｒｅａｔｔｒａｃｔｉｖｅｆｏｒａｎｕｍｂｅｒｏｆａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ．Ｆｉｒｓｔ,ａｓａｎｅｌｅｍｅｎｔｏｆｔｒ...     

低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.     

X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用

本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果．     

MSM光探测器的等效电路模型

本文详细介绍了一套完整的InGaAs MSM光探测器的等效电路模型。模型包括暗电流、直流、交流、瞬态和噪声等特性的等效电路模型。每一部分均从经典的物理模型出发,结合实际情况设计构造,并将理论曲线与试验数据进行了比较,结果是令人满意的。     

MSM光探测器的直流特性

在稳态条件下金属 -半导体 -金属 (MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解 .在这种条件下 ,器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法求解 .本文从电流连续方程和传输方程出发详细推导了这一过程 ,并将这一结果应用于具体的 In Ga As MSM光探测器的直流等效电路模型上 ,取得了很好的效果