CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响

利用气相外延技术在CdZnTe衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度CdZnTe衬底上的外延结果发现,CdZnTe衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对于同是<111>CdZnTe晶向的衬底,(111)Cd面CdZnTe衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面。对于(111)Cd面CdZnTe衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好。     

Hg1-xCdx Te晶体生长及太赫兹性能研究

利用移动加热区方法(THM)生长了不同Cd组分的Hg1-xCdxTe晶体,通过傅立叶光谱仪和太赫兹时域光谱系统,研究了不同Cd组分Hg1-xCdxTe晶体在红外波段和太赫兹波段的透射光谱.当Cd组分小于0.279时,Hg1-xCdxTe材料在0.2～1.5 THz波段透过率接近0.在0.9 THz附近观察到Hg1-xC...     

利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料

窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合...     

金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究

采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe 薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p 型Hg1-xCdxTe 材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DP* 可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。     

新型红外探测器材料Hg1-x-y CdxZnyTe研究

采用移动加热器法(THM)进行了新型红外探测器材料 Hg1-x-yCdxZnyTe(MCZT)的晶体生长,获得的MCZT晶片经汞源退火后进行了光学特性、结构特性、电学性能和组分均匀性的检测与分析,并且初步制作成近室温工作的长波光电导器件,对器件性能进行了测试与分析。结果表明用移动加热器法生长Hg1-x-yCdxZnyTe晶体是成功的,获得晶片的材料特性与器件性能初步达到了应用水平。     

一种新型的红外探测器材料——碲锌镉汞

本文介绍了国外在新型红外探测器材料HgCdZnTe的基本性质、材料生长和性能以及光电探测器研制和性能方面的研究现状和发展前景，突出说明了HgCdZnTe相对于HgCdTe在结构性能尤其是稳定性方面的优势。从国外众多理论研究和实验结果来看，HgCdZnTe是一种具有很大应用潜力和研究价值的新型红外探测器材料，尤其。是在室温或近室温红外探测方面有着重要的应用前景。     

弱P型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器

窄禁带碲镉汞(HgCdTe)为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法区分迁移率较低性能较差的n型材料和p型材料.通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试区分.另外对由弱p型材料...     

碲镉汞霍耳测试副效应及其与组分的关系

为了准确地表述碲镉汞(Hg1-xCdxTe)的电学性能，对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)样品进行了霍耳效应测试，讨论了伴随霍耳电压所产生的几种副效应电压的特性及其消除方法，研究了第5种电压在不同组分x碲镉汞样品上的体现。在高阻样品上拟合出第5种电压随测试电流变化曲线。分析了第5种电压和碲镉汞材料晶体质量之间的关系。     

"弱P型"和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究

详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法.窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料.特别是"弱p型"材料,由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级(b=μ/hμ≈102),更容易受到少数载流子(电子)的干扰,因此通过单一磁场的霍尔测试无法区分性能很差的低迁移...     

垂直无籽晶汽相输运生长CdTe晶体

采用垂直闭管无籽晶汽相输运生长CdFe晶体材料,晶体外现光滑,外径为14～20mm,长度约50mm,单个晶粒的介理面约8×10mm~2,晶面明亮如镜。对材料的结构和性质进行了测定并与熔体法进行了比较。用市售6NCd和Fe按配比秤量,或取合成的多晶源装在内径为14～20mm,长度为