灵敏辐射变色薄膜γ射线辐照研究

研制一种在低剂量射线辐照下能产生明显颜色变化的灵敏辐射变色薄膜,经γ射线辐照后,由粉红色变为蓝色,在5-50 Gy辐照剂量内,其主吸收峰的吸光度与吸收剂量成良好线性关系.该薄膜体系中的协同剂有明显增敏效果,调整协同剂浓度来调节变色膜的响应区间及响应灵敏度.此辐射变色薄膜有良好的批内均匀性(与平均值偏差<3%)和较好的批间均匀性(与平均值偏差<5%),可作为辐射变色薄膜剂量计探测γ射线吸收剂量.     

60/102/204混合细胞自动机的可逆性分析

细胞自动机的理论研究主要包括细胞自动机的分析和综合两个方面,而细胞自动机的可逆性分析则是细胞自动机分析中的核心问题。60/102/204混合细胞自动机作为一类重要的细胞自动机,利用矩阵分析方法将其状态转移表示为矩阵方程,从而分析其可逆性、可逆细胞自动机的数目和可逆细胞自动机的构造。60/102/204混合细胞自动机可逆性分析对于其在密码学、通信和测试等领域的应用具有重要意义。     

α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究

本文用DV-SCC-X_a方法计算了α-Al_2O_3晶体及Si界面的电子结构,给出了对真实界面的模拟计算方法,讨论了界面模型和计算结果,得出了与实验相符的Al_2O_3-Si界面的定量结果,如电导率、能隙、态密度等.     

多晶硅薄膜太阳电池厚度和晶粒尺寸对其性能的影响

利用PC1D计算了结构为n^ /p小和n^ /p—p^ 多晶硅薄膜太阳电他的品粒尺寸和薄膜厚度对其Voc，Jsc和η的影响。计算结果表明：对无陷光结构的多晶硅薄膜太阳电池，要获得10％的效率，薄膜厚度至少应大于22μm；晶粒尺寸大于薄膜厚度的4倍时，晶界复合对载流子寿命的影响可以忽略；同时表明：太阳电他的背表面场(BSF)对提高多晶硅薄膜太阳电他的性能具有很大的作用。     

晶体生长用TiO2纳米晶的改良工艺研究

针对晶体生长的具体应用,分别以硫酸氧钛铵（ATS）和改良硫酸氧钛铵（M－ATS）为原料,采用高温焙烧法制备了TiO2纳米晶,用XRD分析了原料和纳米晶的物相,用SEM分析了纳米晶的形貌,结果表明虽然两种原料具有相似的物相结构,但所得纳米晶的性状不同,M－ATS焙烧所得纳米晶分散性更高,均匀性更好,此外,研究了焙烧温度,保温时间,急烧,缓烧等工艺条件对纳米晶形貌,物相的影响,并给出了批量制备TiO2纳米晶粉体的最佳工艺条件。     

过渡金属Cr掺杂对金红石光性影响的研究

报道了采用高温扩散掺杂敏化法在金红石晶体表面掺入Cr离子、有效提高可见光响应的研究结果,分别利用UV－VIS、XFA、XRD和LRS等测试手段对样品进行了分析。结果表明Cr离子掺入晶体表面后以Cr2O3的形式与基体TiO2形成固溶体Cr2TiO5,提高了可见波段的光吸收,使原来位于410nm的TiO2的吸收边移到了750nm处,实现了与太阳光谱的匹配。     

晶体生长用TiO2纳米晶的改良工艺研究

针对晶体生长的具体应用,分别以硫酸氧钛铵(ATS)和改良硫酸氧钛铵(M-ATS)为原料,采用高温焙烧法制备了TiO     

无机敏化对金红石光吸收特性的影响

用过渡金属氧化物对金红石单晶作无机敏化处理,用UV－VIS,XFA,XRD和LRS等测试方法分析敏化前后的金红石单晶,研究无机敏化对金红石单晶光吸收特性的影响,结果表明,Cr,Mn氧化物的敏化使金红石的本征吸收边红移,Co,Fe,V氧伦物的敏化使吸收边的尾部抬高,Cr离子与基质晶体形成了固溶体Cr2TiO5是吸收边红移的原因,Cr2TiO5在可见波段有光吸收,敏化样品的吸收边正是固溶体的吸收边。     

改变VO_2薄膜光学性能的低注量电子辐照方法

利用能量为 0 8MeV ,注量为 10 12 /cm2 的低注量电子束辐照VO2 薄膜 ,发现低注量电子辐照显著提高VO2 光学性能的温度响应速度 ,并引起薄膜相变过程中的热滞回线宽度变窄 ,但没有对相变温度点造成明显影响 ;通过对比辐照前后样品 370～ 90 0nm的吸收和透射性能 ,表明辐照后吸光度下降、透射率增加 ,在相变过程中四方相附近出现透射、吸收特性的非稳变化现象 ;利用X射线衍射 (XRD)及拉曼光谱对辐照前后样品进行分析 ,显示低注量电子辐照引起薄膜结构的变化 ,并且引起拉曼振动峰位的改变     

带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽

报道了带门极双层 Si-δ-掺杂 Ga As样品中的二维电子系统 Hall效应的低温测量实验 ,观察到了电子耗尽过程中电子浓度与门电压的奇特、复杂的非线性关系 .根据双电容器 (由两个δ-掺杂二维电子层和一个金属门电极构成 )模型的假设和在双对数坐标中电子迁移率与电子浓度呈线性关系的实验结果 ,解释了这一非线性耗尽现象 .