磁控溅射LaB6薄膜光学性能研究

采用磁控溅射法在玻璃基片上沉积LaB6薄膜。通过改变溅射功率参数,获得最佳制备工艺条件。采用XPS、X射线衍射仪和分光光度计研究薄膜的成分、结构、晶向以及透过率。当溅射功率为44 W,氩气气压为1.5 Pa,氩气流量为27 sccm时制备的LaB6薄膜表面相对平整,结构致密。 XRD数据也表明,此时LaB6薄膜结晶度最高且(110)晶面发生明显的择优生长。同时分光光度计结果显示：薄膜的透过率随溅射时间的增加而降低,并且最高透过率对应的波长没有发生变化。     

AMOLED像素电路的设计与仿真研究

为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法.最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流...     

YAG荧光屏的制作与性能

介绍一种YAG荧光屏的结构、制作以及性能。YAG荧光屏不同于传统玻璃荧光屏的一个显著特点就是以具有高热导率、高机械强度、良好绝缘性和透光性的单晶YAG代替玻璃作为荧光屏粉层衬底。我们在YAG衬底上采用离心沉淀法制作荧光粉层;有机膜采用手工旋涂法工艺制作;铝膜采用真空电阻蒸发法制作,并讨论了铝膜的最佳厚度选取。3英寸红、绿、蓝荧光屏在0.5mA电流、29kV电压下亮度分别是6.2×10     

六硼化镧材料的化学腐蚀工艺研究

目前,阴极发射体材料多存在逸出功大，可靠性及均匀性低，发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题．与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面．同时具有高导电率和良好的热稳定性及化学稳定性，是作为阴极发射体的理想材料．而对六硼化镧的化学腐蚀在以其为阴极的阴极发射体制备工艺中起着至关重要的作用，本文简述了对材料的化学腐蚀工艺的初步研究，并得到了图形化的六硼化镧表面。     

硼化镧薄膜的发射特性研究

LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源，但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究，本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测，使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比，薄膜显示出良好的发射特性，利用热发射测量逸出功，利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2．64eV。     

硅场发射微尖阵列的制备工艺研究

主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺,实验中在101.6mm(4in)的n型(100)晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层,再用投影曝光的方法光刻出边长2μm,间距4μm的方形掩膜。再分别使用反应离子刻蚀(RIE)技术和湿法刻蚀制备硅锥阵列,干法刻蚀并结合氧化削尖工艺得到了曲率半径为90nm左右且具有良好一致性的尖锥,湿法刻蚀同样得到较理想的结果。     

场发射阵列阴极(FEA)在微波器件中的应用

分析了场发射阵列阴极的跨导、电容以及阵列阴极的发射电流密度、电子束直径、电流稳定性对微波器件性能的影响,并提出了相应的改善措施,有效地提高了微波器件的性能.最后,概述了金刚石薄膜及碳纳米管阵列阴极在微波器件中的应用情况,目前虽然还不成熟,却显得有极大的潜力.     

新型彩色LCOS头盔微显示器光学系统

通过对实像显示技术和虚像显示技术的区别的简要介绍,阐述了头盔微显示器在未来战场上对数字化士兵的重要作用以及头盔微显示技术的研发意义。通过对LCOS头盔微显示器显示原理的阐述,着重介绍了一种新型彩色LCOS头盔微显示器整个光学系统设计方面的最新研究成果。     

随机扫描到光栅扫描转换系统的研究

分析了随机扫描到光栅扫描转换的关键技术,即视频扫描转换的基本原理,并给出了一种实际实现方案,构建了以复杂可编程逻辑器件为控制核心的扫描转换硬件系统。利用复杂可编程逻辑器件对整个系统进行灵活控制,实现了从随机扫描显示系统到光栅扫描显示系统的转换。研究结果对于视频转换领域的应用具有一定的参考价值。     

掺钪钨粉的制备研究

采用液-固掺杂工艺,以Sc(NO3)3水溶液制备了Sc2O3掺杂的钨粉,研究了所获钨粉的形貌、Sc2O3的分布。扫描电镜显示掺杂钨粉颗粒表面和裂缝中均匀附着了Sc2O3粉末,选区能谱分析证明Sc2O3在钨颗粒的表面覆盖均匀。Sc2O3与钨接触面增多,增大了钪与钨的结合力,该掺杂钨粉能够用于制备热电子发射均匀、抗离子轰击能力强的含钪钡钨阴极。