基于石英衬底的16通道二氧化硅可调复用器/解复用器的单片集成

本文是关于可调复用器/解复用器的单片集成,它由一个16通道200 GHZ的二氧化硅阵列波导光栅和一组马赫增德尔干涉型热光可调光衰减器阵列构成。该集成器件是基于石英衬底的,与基于硅衬底的器件相比,省去了沉积下包层的工艺步骤,并且降低了器件功耗。该集成器件的插入损耗是-5 dB,串扰小于-22 dB。在衰减为20 dB的时候每个通道的功耗只有110 mW。     

应用于高密度近场光存储技术的亚波长纳米孔

近场光存储技术因其高分辨率、超出传统光学衍射极限的限制等特点成为实现下一代高密度光存储的关键解决方案之一.目前应用的主要瓶颈是其光源较低的透过强度难以达到实际应用的要求.文章利用金属表面的周期性结构激发表面等离子体激元来提高亚波长纳米孔的透过率的解决途径.实验中制作了两种周围带有表面周期结构的纳米微孔,并对小孔周围光栅状结构的形状对纳米孔透过强度的影响进行了讨论.在此基础上提出了将纳米孔应用于高密度存储领域的设想.     

中外合作办学研究：一个批判的文化主义视角

中外合作办学是指国内高校与国外大学进行合作的一种形式。看似繁荣的中外合作办学可能正面临着迫在眉睫的危机。然而,现有的研究仅停留在中国政府的政策或者政策变化以及机构层面上的操作等问题上。对于为什么这些跨境高等教育活动会发生在中国、它们是否带来了中国社会和高等教育发展所需要的东西以及它们如何才能为中国高等教育体制的完善作出贡献等问题则鲜有研究。换言之,已有研究似乎表明跨境高等教育的主导形式和实践都很好,因而研究的重点就是完善它。本文通过对中外合作办学活动的研究提出一个批判的文化主义视角,这一视角将以新自由主义、后殖民主义和文化主义的观点作为研究的潜在理论工具以填补某些研究的空白。     

基于不同衬底的二氧化硅可调复用器/解复用器的单片集成芯片研究

分别设计制备了基于石英衬底和硅衬底的16通道200 GHz二氧化硅可调复用器/解复用器.该器件由一个16通道200 GHz的阵列波导光栅(AWG)和Mach-Zehnder干涉型热光可调光衰减器(VOA)阵列构成.在衰减量达到20 dB的时候,基于石英衬底的器件的外加偏压和功耗分别是11.7V和110 mW;而基于硅衬底的器件的外加偏压和功耗分别是22V和380mW.分析了基于不同衬底的器件性能出现差别的原因,并设计了新的结构,提高了器件性能.     

用信号流图和双积分器结构精确设计开关电容滤波器

运用信号流图和双积分器结构,可直接设计具有双线性传递函数的SCF。本设计方法,简明直观,所得电路对元件值变化和分布电容的灵敏度都较低,可适用于设计各种类型的SCF。