溅射法制备ZnO薄膜结构及光学特性

采用直流磁控溅射镀膜工艺在玻璃基片上沉积了具有良好c轴择优取向的znO薄膜.用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率均在85%以上;用AXRF分析了退火前后薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.样品通过空气中退火,薄膜结晶质量明显提高,晶粒有所长大,取向更加一致.在室温下用荧光分光光度计分析了薄膜的发光特性,观测到明显的紫外光发射(波长为386 nm)和波峰为528nm的一"绿带"宽峰.紫外发射是由于导带和价带之间的电子跃迁,宽峰是源于晶体的缺陷.     

PEHPB的光电特性

在温和的反应条件下合成了聚 2-乙炔基 N-己基吡啶.反应是通过直接聚合 2-乙基吡啶和相对应的N-己基卤化物完成的.聚合过程既不需要任何的起始条件也不需要催化剂.聚合反应的聚合物产率很高.聚合物结构是具有 N-己基吡啶分支的共轭结构.测量了聚合物的光电性能.当光电子能量为 2.06 eV时,PEHPB 的光致发光峰出现在 603 nm处.     

ITO/NPB/Alq_3/LiF/Al电致发光器件光电特性

针对有机电致发光器件发光效率低、稳定性差的问题,设计制备了ITO/NPB/Alq3/LiF/Al多层有机电致发光器件.测试了器件的电流电压特性、器件的亮度电压特性、器件的电致发光光谱.结果表明,当外加电压为16V时,器件的电流达到最大值21.70mA,器件的亮度达到了11 700cd/m2;当外加电压为14 V时,电致发光光谱波峰位于528 nm处,归一化强度最大值为0.522 1a.u.制备的器件电子注入能力、电流和亮度均得到了增强.     

溶胶-凝胶法制备Al_2O_3感湿薄膜

采用溶胶－凝胶法制备Ａｌ＿２Ｏ＿３感湿薄膜，并通过大量实验，研究了溶胶的配制、涂覆层数及热处理工艺，对其感湿特性也进行了测试．     

超导参量及其拟合程序

测量了非晶Ｚｒ＿（６５）Ｃｏ＿（３５）在低温超导临界状态的磁致电阻变化规律，观察并分析了超导涨落特性，编制了拟合程序．通过对无序系统电子定域化和超导涨落理论的拟合，确定了不同温度下的弛予时间和超导涨落参量．     

磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能 磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能

本文采用直流磁控溅射法在基板温度100 ℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物（In2O3:SnO2= 90:10, 质量百分比）薄膜。利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响。结果表明：ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800 nm的红光区域透光率达到最高。     

Sb_2O_3掺杂对YBa_2Cu_3O_（7－δ）超导性质的影响

研究了Ｓｂ２Ｏ３掺杂的多晶ＹＢａ２Ｃｕ２Ｏ７－δ超导体的超导转变温度和输运临界电流密度Ｊｃ（Ｂ）在磁场中的行为。测量了超导性能对该掺杂浓度的依赖关系。适当浓度的掺杂可使Ｊｃ至少提高一个数量级。对掺杂样品进行了扫描电镜微结构观测和Ｘ射线结构分析。     

真空蒸镀ITO薄膜退火特性分析

采用真空蒸发镀膜工艺制备了ITO透明导电薄膜,以四探针表面电阻仪测量得薄膜方块电阻为400Ω,用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率为80%,利用扫描电镜测得膜厚为103 nm.用XRD分析了薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌及粗糙度.对薄膜进行退火处理,结果表明,随着热处理温度的升高,晶化趋于完整,组织结构逐渐均匀致密,晶粒有所长大.随退火时间的增加,透光率增加,但方块电阻先减小后增加.     

电弧法制备C_(60)的工艺

介绍了用作者自行设计和组装的实验装置制备Ｃ＿（６０）的工艺方法，并给出了Ｃ＿（６０）的质谱图．     

9,9二炔丙基芴的合成和发光性能

芴与炔丙基溴在NaOH/PhCH2N Me3C l催化作用下反应生成85%的二炔丙基芴(DPF).在10-4Pa真空中的ITO玻璃基板上沉积DPF制成EL器件.测得DPF特有的紫外可见吸收波段为337nm和354nm,其在432nm的蓝色光致发光(PL)光谱对应的光子能量是2.87eV.二炔丙基芴电致发光(EL)器件具有典型的矫正二极管性能,蓝色的电致发光光波以及12V的开启电压.由光谱扫描色度计PR-705测得色度值为(0.16,0.17),意味着器件发深蓝光.通过微分扫描热量计和热解重量分析仪研究DPF的热反应性能,其熔点和反应温度分别为117℃和247℃.