高温压电陶瓷研究进展

评述了碱金属铌酸盐、钨青铜结构、铋层状结构和钙钛矿结构等高温压电陶瓷体系的结构和性能,重点介绍了复合钙钛矿固溶体系Bi(Me)O3-PbTiO3的研究进展.总结了影响压电陶瓷Curie温度的影响因素.提出了高温压电陶瓷今后的研究方向:一方面根据容差因子和Curie温度的关系开发新的高温压电体系:另一方面通过掺杂改性和工艺优化增加钙钛矿结构的稳定性并提高其性能.     

人工神经网络在优化BaTiO3陶瓷配方研究中的应用

首次将人工神经网络技术用于介电陶瓷的配方性能分析。以BaTiO3为研究对象选取了几种掺杂剂，在均匀实验设计的基础上，用BP人工神经网络对所得实验结果进行了分析，建立了相应配方的数学模型并将其与多重非线性回归模型的结果进行了比较。通过对人工神经网络配方数学模型的二次分析，得到了比多重非线形回归模型更加丰富的配方信息和内在规律，并且用图形化方式直观地表达了出来。在进一步对配方结果的优化和验证的基础上发现实验结果能够较好地符合理论预测，说明人工神经网络对于获得多性能指标要求介电陶瓷的最优化配方具有较好的指导作用。     

低温烧结Co2Y物理性能研究

采用传统的铁氧体工艺制备了Co2Y铁氧体软磁材料,加入少量添加剂实现了材料的低温烧结,分析了Co2Y的成相过程以及不同添加剂对材料显微结构和性能的影响。在添加剂的作用下,Co2Y可在900℃以下烧结,其在甚高频段具有很高的品质因数,可以用来制备片式电感元件。     

(Sr,Pb)TiO3超微粉体的制备和性质

应用草酸盐共沉淀法制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３超细粉体，分析了共学淀产物的热分解过程，确定了昌化温度和煅烧条件，同时，测量了粉示的晶粒尺寸，标定了材料的晶体结构，试验了粉体的烧结条件。     

BT-PMN共烧陶瓷的新的介温特性

具有不同居里点的两种铁电体粉末在共烧时会产生过渡相,这种过渡相的特性与原始物相的性质密切相关。BaTiO3(简称BT）和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(简称PMN）共烧时,介温特性发生异常变化。结果,显示,在低温端介温曲线明显抬起,表明具有更低居里温度（Fc)的新相形成,而在高温端BT的Tc值升高,表明pb进驻BT的晶格,共烧体的性能可以达到室温介电常数＜3000,损耗＜60,容温变化率符合X7R标准。     

Bi_2O_3对自燃烧法合成NiZnCu铁氧体的显微结构与性能的影响

以金属硝酸盐和柠檬酸为原料 ,应用溶胶 -凝胶法与自燃烧结合的方法制备了 Ni Zn Cu铁氧体微细粉。文章主要讨论了溶胶 -凝胶与自燃烧法结合制备 Ni Zn Cu铁氧体粉末的新方法 ,对 Bi2 O3掺杂的低温烧结 Ni Zn Cu铁氧体从烧结性质、结构与相组成、显微形貌、磁性质方面进行了研究 ,在此基础上分析了 Bi对材料形成过程和磁化机制的影响 ,并解释了掺杂量对材料磁性能的综合作用     

Sm2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR效应

施主深度为PTCR效应的关系,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化;另一方面也被很多作者所忽视。然而,这一关系可以在定程度上映射出PTCR效应的本质。海望曾指出,在BaTiO3材料中,晶界上过剩施主的堆集,能够形成晶界层中高深度的表面受主态,从而使材料PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受,然而,我们研究了Sm2O3掺杂的BaTiO陶瓷中掺杂浓度与PTCR效应的关系,结果表明：随着稀土掺杂量的提高,材料的升阻比隆低。采用其他稀土元素,也得到相同的结果。因此,PTCR效应应当来源于在铁电相变点,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率,而不能提高PTCR效应。     

PMN基铁电陶瓷电镀镍性能失效及恢复研究

针对铌镁酸铅（PMN）基弛豫铁电陶瓷电镀镍后性能失效行为,采用介温谱、绝缘电阻测量及高温退火方法进行了研究。实验表明,PMN基驰豫铁电镀镍后会出现介电常数下降、介质损耗和绝缘电阻增大,随电镀时间延长,试样失效程度增加。电镀失效试样经过500℃、2.5h空气退火后,性能完全恢复,分析认为,电镀过程中产生的活泼原子氢吸附在资体上,将瓷体中的某些金属元素还原,产生氧空位和自由电子,导致陶瓷电性能失效。而经过适当的氧化气氛退火后,失效试样被重新氧化,使得电性能恢复。     

Sr_xPb_(1-x)TiO_3基陶瓷材料热敏特性研究

以 Srx Pb1 - x Ti O3为基料 ,液相掺杂一定量的 Y和 Si,采用传统固相合成工艺方法制备出了具有明显 V型阻温特性的半导体热敏电阻 ,通过扫描电镜形貌观察、R- T特性测试及复阻抗分析表明 ,Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷的阻温特性明显受半导化程度的影响 ,居里点以下的 NTC效应往往随着半导化程度的提高而降低。掺杂玻璃相物质Si(OC2 H5 ) 4能增强 Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷 NTC效应 (t相似文献   

低损耗、高Q_m值Pb(Nb_(2/3)Mn_(1/3))O_3-Pb(Sb_(2/3)Mn_(1/3))O_3-PZT材料

研究了组分变化及掺杂对四元系 Pb( Nb2 /3Mn1 /3) O3- Pb( Sb2 /3Mn1 /3) O3- PZT压电材料性能的影响 ,发现 Zr/Ti比值在准同型相界附近该材料有最大的压电常数 d33,而机械品质因数 Qm 值较小 ;Zr/Ti比偏离该相界时则机械品质因数 Qm 升高 ,相应的压电常数 d33减小。通过改变 Pb( Nb2 /3Mn1 /3) O3、Pb( Sb2 /3Mn1 /3) O3两组分的含量及掺入 Sr、Ce等杂质 ,获得的材料介电损耗为 0 .14 % ,机械品质因数为 2 3 4 1,压电常数为 2 16p C/N。