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IC塑料封装中的损伤 总被引:1,自引:0,他引:1
芯片集成度的提高和大面积化,封装多针脚、细引线、小型化等会引起器件可靠性的下降。本文依据强度理论和试验,预测塑料封装中的损伤模型并提出了减少损伤,增加了可靠性的措施。 相似文献
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利用各种分析电镜观察了掺杂助烧剂和未掺杂助烧剂的AlN陶瓷的微观结构特征,鉴别了AlN中的第二相,研究了AlN基板上薄膜(Au-Pt-Ti)和厚膜(Mo-Mn)金属化界面的结构。 相似文献
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低介电常数陶瓷复合基板材料 总被引:2,自引:0,他引:2
复合陶瓷材料具有较低的介电常数,可与Cu、Ag导体共烧得到多层基板。这种基板适合于LSI高速、高集成度的要求。本文介绍了复合陶瓷基板材料的特征及降低介电常数的措施。 相似文献
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经热轧后调质处理的M2高速钢进行超塑拉伸,温度为800℃时,延伸率突然增大。研究结果表明,延伸率的增大是由于奥氏体相变的作用。文中提出塑变与相变之间相互作用的机制,利用显微硬度法分析了变形中产生的相变,并观察超塑性变形中孔洞的形貌。 相似文献
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VLSIC用AlN封装的金属化及元件设计 总被引:2,自引:0,他引:2
为满足超大规模集成电路的要求,人们对AlN陶瓷封装进行了大量的研究,通过实际 性能和结构设计,本文讨论相关的金属化工艺和金属元件的设计加工等。 相似文献
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微电子技术中基板的金属化是为安装IC芯片和布线,应用较广泛的金属化方法是厚膜技术。厚膜金属化是一个复杂的物理化学过程,厚的附着主要通过玻璃结合和反应结合两种方法来实现,要提高厚膜的附着力和电性能等。必须考虑化学反应的热力学,选择合适的导体浆料,主要是玻璃料和活性粘合剂,有效地控制金属化层与陶瓷的界面,玻璃结合与反应结合是提高厚膜质量的有效手段。 相似文献