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1.
介绍一种比较 GaAsMESFET 噪声系数的方法.对具有最低噪声量度(M)的器件作出 M 对栅长的关系图,并给出对其它器件可进行比较的优值图。这对于栅长给定时用来确定材料的相关值以及工艺改进是有用的。 相似文献
2.
已经研制成功一种制作亚微米线宽和器件的新技术。此技术不需要电子束或其它外加的刻蚀技术,而只用常规光刻法和一次边缘选择镀工序。在此工序中,把金属镀到已刻图案的金属层的边缘上。然后,此已镀边缘作为下步等离子腐蚀的掩模,以腐蚀其下层的导体或介质。此技术作出的线宽小至0.04微米,并能用来制造多种微波器件。特别是已用它来制作栅长为0.1微米的镀金铬栅 GaAsMESFET。此法所得 GaAsMESFET 的性能,比得上用比较复杂和花费大的制作栅图案技术制造出来的器件。譬如,在离子注入的 GaAs 上制作的5微米源-漏间距,0.3微米栅长和250微米栅宽的 MESFET,12千兆赫下最大可用增益超过10分贝。 相似文献
3.
4.
5.
6.
<正> 激光器与电光学(CLEO′90)和国际量子电子学(IQEC′90)会议于1990年5月21日至25日在美国加州Anaheim会议中心同时举行。除了两个会议各自有专题领域外,还有联合专题会议。两个会议的特邀报告和口头报告约1050篇,张贴报告约300篇,内容涉及面很广。其中CLEO′90共15个专题: 1)气体和自由电子激光器; 2)固体和液体激光器; 3)半导体激光器; 4)非线性光学和激光谱的应用; 5)相变和光折射器件; 相似文献
7.
较为详细地叙述了可见光LED的进展,包括发展趋势、蓝色LED、超高亮度LED的研制及应用领域的拓宽 相似文献
8.
可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)张万生梁春广(电子工业部第十三研究所,石家庄,050051)4超高亮度发光管的发展[9~14]4.1InGaAlPDHLED发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一,超高... 相似文献
9.
SIT的原理 SIT(Static Induction Trans-istor)器件是微电子技术和电力技术融合起来的新一代电力电子器件,其优点是不仅可以控制很大的输出功率,而且工作频率大大增加。综合了BJT和VDMOS的优点,而比BJT的工作频率高,比VDMOS的饱和压降小。将其应用于电 相似文献
10.