基于多核异构的低功耗语音AIoT芯片GX8008/GX8010

1前言相对于按钮、触摸屏、键盘输入界面,语音交互界面为人类解放了双手,还可以实现远距离控制,是一种更天然的交互方式。随着语音识别技术的发展,语音交互界面越来越成为消费者的选择。谷歌的GoogleNow和微软的Cortana,亚马逊的Alexa,还有国内的天猫精灵、百度智能音箱、360智能音箱等都实现了语音交互[1]。这些语音交互软件和设备很好地解决了智能产品的入口问题,并推动了语音交互技术的发展。目前基于深度神经网络的语音识别准确率已经超过人类自身。     

上海地区住宅桩基桩型的选择

目前上海地区住宅桩基桩型主要有三种,具体使用须考虑地基、承载力、持力层、环境、工期、经济等各方面因素.     

供电安全标准在配电网网格化规划设计中的应用研究

配电网规划的意义在于对方案的可靠性与经济性进行权衡和决策,寻找出两者之间的最佳平衡点。文中探索利用供电网格划分与组负荷分级思路理念的统一,将供电安全标准作为配电网网格化规划现状电网评估的依据,建立标准化应用体系,并以此为导向,开展规划设计工作,以促进方案成果更具系统性、时效性和可操作性。     

MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

Si-C相图的研究及碳对硅单晶质量的影响

本文用气相掺杂法得到低氧区熔硅晶体中熔点附近碳的固溶度为8·6×10~(17)cm~(-3)。并指出不同的碳含量对晶体结构缺陷产生的影响。当1423K≤T≤1573K时,碳的固溶度表达式为[C]=3.0×10~(26)exp(-66kcal/RT)cm~(-3)。求出了Si-C相图的硅侧。     

弹簧圆锥破碎机恒功率模糊控制器设计

依据成熟的操作经验,运用模糊控制理论设计完成弹簧圆锥破碎机恒功率模糊控制器,实现了弹簧圆锥破碎机的恒功率控制.     

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性

通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱（SIMS) 、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响. 实验表明，在缓冲层厚度为13～20nm之间时，GaN外延层的张应力最小，同时晶体质量和光学质量达到最优值. 此外，SIMS分析表明，当AlN缓冲层位于13～20nm之间时，可有效抑制Si的扩散.     

AlGaN材料的MOCVD生长研究

文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制。在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率太小,随着TMAl流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着Al组分的增加而下降,AlGaN的表面形貌也变差。随着TMAl流量的增加,AlGaN材料的生长速率反而下降,这是由于Al原子阻止了Ga原子参与材料生长。实验还发现,由于TMAl与NH3 之间存在强烈的寄生反应,AlGaN材料中的Al组分远小于气相中的Al组分。文中简单探讨了提高AlGaN材料质量的生长方法。