应用400℃低温Si技术制备应变Si沟道pMOSFET

在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术.通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层,提高了SiGe层的弛豫度.当Ge主分为20%时,利用低温Si技术生长的弛豫Si1-xGex层的厚度由UHVCVD制备所需的数微米降至400nm以内,AFM测试表明其表面均方粗糙度(RMS)小于1.02nm.器件测试表明,与相同制备过程的体硅pMOSFET相比,空穴迁移率最大提高了25%.     

应用400℃低温Si技术制备应变Si沟道pMOSFET

在利用分子束外延方法制备Si Ge p MOSFET中引入了低温Si技术.通过在Si缓冲层和Si Ge层之间加入低温Si层,提高了Si Ge层的弛豫度.当Ge主分为2 0 %时,利用低温Si技术生长的弛豫Si1 - x Gex 层的厚度由UHVCVD制备所需的数微米降至4 0 0 nm以内,AFM测试表明其表面均方粗糙度(RMS)小于1.0 2 nm.器件测试表明,与相同制备过程的体硅p MOSFET相比,空穴迁移率最大提高了2 5 % .     

一种用于10位100 MSPS流水线A/D转换器的CMOS线性采样开关

分析了影响CMOS模拟开关性能的主要因素，针对10位100 MHz采样频率A／D转换器对输入信号动态特性的要求，设计了一种适合在3．3V电源电压下工作的CMOS全差分自举开关采样电路。基于0．35μm标准CMOS数模混合工艺，在Cadence环境下采用Hspice对电路进行了模拟。模拟结果显示，其无杂散动态范围达到95 dB，满足了A／D转换器采样保持电路对输入信号高动态范围的要求，也保证了电路的可靠性。