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用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析 总被引:4,自引:3,他引:4
用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2 膜满足低损耗光波导器件的要求 相似文献
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讨论了基于数字信号处理技术和模拟信号处理技术实现时域电磁信号时间反演的两类方法.前者可以直接对时域信号进行采样处理或通过在频域中进行相位共轭变换,实现时域信号时间反演;后者基于时域成像原理实现时域电磁信号的时间反演处理,包括微波光子技术和全电子技术两种方案. 相似文献