128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面的红外成像

研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×106V/W,截止波长为λc=8.6μm.根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db*=2.37×109cm·Hz1/2/W,并最终获得了清晰的室温物体残留热像图.     

砷化镓SJFET四端器件

本文提出一种由Ｍ－ＳＳｃｈｏｔｔｋｙ结和ｐｎ结组成的ＧａＡｓＳＪＰＥＴ四端器件，对该器件原理进行了分析与讨论，并在实验室研制出了ＧａＡｓＳＪＦＥＴ四端器件．实验结果表明，该器件可通过上、下两个栅分别调控，实现器件阈值电压连续可调．该器件极易获得稳定、重复的Ｅ－和Ｄ－ＭＥＳＦＥＴ，可望在ＧａＡｓ集成电路中得到应用．     

Si~+,Mg~+(隐埋)双注入GaAs MESFET

比较了Si~+ 单注入和Si~+ 、Mg~+(隐埋)双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg~+隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有源层的影响,容易制成性能优于Si~+单注入的GaAs E-和D-MESFET,并能提高阈值电压V_(tb)均匀性.     

S.I.GaAs中高能Mg~+单注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入的特性及应用

本工作测量了S. I. GaAs中高能Mg+注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入退火后的特性。实验表明,在双注入的情况下,由注入Si+形成的有源层,其电子浓度分布受高能注入Mg~+隐埋层调节;利用Mg隐埋层,消除了Si~+注入退火后的载流子分布尾,从而制得了跨导较高的GaAs MESFET,并改善了阈值电压均匀性。