离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成

本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10~(14)到8.1×10~(16)Ar/cm~2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.     

Ni/Si体系离子束混合及相变研究

注入参量变化引起不同的混合结果,在宽温区中得到Ni_2Si、NiSi、NiSi_2多种化合物相,进而探讨了Xe离子诱导的Ni/Si体系界面原子混合机理及诱发相变的动力学过程。     

几种无限供应的金属/硅体系离子束混合相变

研究了五种无限供应的 Bilayer 膜金属/硅体系中(Ni/Si,Cu/Si,Nb/Si,Mo/Si,Ti/Si),因离子束注入引起的界面原子交混及相变过程。界面温度和注入离子剂量显著影响薄膜相变,在生成各种金属 Si 化物及固溶体时,反应温度和生长激活能大大降低,相变动力学过程与热退火反应不尽相同,诱导离子和基体取向对成相生长也有影响。讨论了相应微观机理。     

离子束诱导的金属-硅界面的原子混合

一、引言离子束与固体的相互作用可分为以下几种过程:注入、辐照损伤、溅射和原子混合。离子束混合是指具有能量的离子注入到两种元素的界面区附近,诱导两种元素的相互交混。从七十年代末开始兴起以来,离子束混合的理论与实验研究日益受到重视。从应用的角度讲,它已成为制备过饱和固溶体、亚稳及非晶态合金薄膜及金属硅化物的最新技     

300keV Xe~(2 )离子束诱导的金属/硅界面反应

采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe~(2 )离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。