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用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Hg1-xCdxTe体单晶样品,该方法可直接得到HgCdTe晶片组分的二维平面分布,并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布,以及晶体中非平衡载流子寿命的分布 相似文献
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在温度4.2~77K、磁场强度0~5T、不同电场强度条件下,对不同参数材料的样品进行了物理测试。在低温、弱电场下即欧姆电场区,以横向磁场和温度作为可变外界条件,采用平衡法,测得N型InSb样品在“磁冻出”状态下霍尔电压和电阻电压随温度的变化,利用“磁冻出”区的磁阻和霍尔效应求得导带电子浓度随温度的变化。且利用Putley的导带电子浓度与温度、磁场强度和材料掺杂量的关系式,求得N型InSb材料的补偿度。 相似文献
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红外吸收法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的P型夹杂 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。 相似文献
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本文根据X射线形貌相、扫描电镜和金相显微镜的实验结果和有关位错、相图的理论,分析了位错和亚晶界、亚晶界和X射线形貌相的关系以及住错对布里奇曼技术生长的HgCdTe体晶结构完整性的影响。因位错降低能量的要求,HgCdTe体晶中的密度位错要形成亚晶界和三维位错网络等亚结构。在X射线形貌相中,亚结构的取向衬度是比位错直接象更强的成象机构。正常凝固长晶过程中HgCdTe材料的组分要变化,并使其固液界面的温度梯度也发生相应变化,由此引入的热应力在结晶过程中会在HgCdTe晶体中产生高密度位错。位错形成的亚晶界和三维位错网络等亚结构严重破坏了BridgmanHgCdTe体晶结构完整性,这使其X射线形貌相往往不好。 相似文献
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世纪之交话光电子技术与产业 总被引:6,自引:0,他引:6
光电子技术与产业被分成六类,在世纪之交,对每一分类的成就与问题作粗略描述 。 相似文献
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在测量磁阻振荡的直流法中,加一级差分放大,可显著提高分辨振荡峰的本领,因而可以用较低的磁场研究电子浓度为 10~(15)cm~(-3)数量级的 n-InSb的磁阻振荡.这一方法适用于纵向磁阻振荡的研究.在液氦温度到10K的范围内,测量了四个n-InSb样品.从振荡频率得到载流子浓度,与霍尔效应的结果相符.从振荡峰的幅度-温度关系得到导带底的电子有效质量m~*=0.0137m_o. 从振荡峰与温度及外加电场的变化关系中,可求得样品的 Dingle温度及过热电子温度.在4.2K-7.2K温度范围内Dingle温度不变.在实验所用的电场下过热电子温度可达到14K. 相似文献
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改进了电容测量技术,能测量低阻抗P-N结的电容.测量Hg_(1-x)Cd_xTe(0.195 相似文献
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本文测量了x=0.275Hg_(1-x)Cd_xTe PN结在不同测量频率下的电容电压特性。实验结果表明,当f=1MHz时,PN结正向电容出现负值,f=5MHz时,电容不再变负,但电容峰是明显的,当f=10MHz时,峰值已不明显,这说明PN结中载流子的深能级-带隧道穿透 相似文献