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1.
研究了单层Si分别δ-掺杂于In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱,并与未掺杂样品相比较,发现掺杂样品的发光峰红移,其中单边势垒掺杂样品红移约4meV,双边势垒掺杂样品红移的量更多约12meV.本文用杂质散射与空穴空间局域化来解释掺杂样品的发光半峰宽较本征样品大很多.用有效质量方法计算3个样品的光致发光能量,并用电子相关交换势解释掺杂样品发光红移的现象.  相似文献   
2.
用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.  相似文献   
3.
本文报道了CdTe: Sm晶体红外吸收光谱的研究结果.根据立方晶体场理论和Sm离子4f能级间的跃迁特性,分析确定了 CdTe:Sm晶体中 Sm~(2+)、Sm~(3+)离子在晶格中的位置类型及其晶体场特性,用点电荷模型计算了不同位置的Sm~(3+)周围的晶体场参数.  相似文献   
4.
Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数   总被引:1,自引:1,他引:0  
分析了三元合金bowing参数的计算公式,指出Z值应当为替换原子的价电子数;通过与实验值的比较,将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类;对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用,库仑屏蔽参数Scr取零,对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用,Scr取0.30.用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数.用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数,直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系.本文同时修正了A1-x-yBxCyD型四元合金带隙的计算公式.  相似文献   
5.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性.分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K下CdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行了比较,结果进一步支持了本文的结论.还测量了费密迪奇异随温度的变化,结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─V族材料强得多.  相似文献   
6.
半导体器件和其它各种固体器件中广泛使用着各种混晶,如Hg_(1-x)Cd_xTe用于红外探测器、GaAs_xP_(1-x)用于发光管、Pb_xSn_(1-x)Te用于半导体激光器等等。此外,这些材料的结构介于原胞严格周期排列的单晶体和长程完全无序的非晶态固体之间,在有关固体的基本物理问题研究中也有重要的意义。以晶格振动谱研究为例,混晶使人们可以观察到孤立杂质  相似文献   
7.
Si1-xGex合金及其与Si构成的应变层异质结构,量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料,本文着重综述了Si1-xGex合金的结构,电学,光学性质及其广阔和应用价值。  相似文献   
8.
报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D(Li,O)复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐跃迁谱线还观察到P及As从三重基态1S(T_2)到各激发态的较弱跃迁谱线。由此更精确地得出P、As的1S基态分裂值4A分别为22.74cm~(-1)(2.82meV)和33.980m~(-1)(4.21meV)。  相似文献   
9.
利用Drüde及改进的Drüde模型对YBa_2Cu_3O_(7-δ)的远红外(70~360cm~(-1))反射谱进行了数值拟合,进一步得到等离子边频率及能隙频率与温度的关系,发现了150cm~(-1)声子在低温时其强度发生强烈变化,用双极化机制解释了这些现象。  相似文献   
10.
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAS/Ga1-xAlxAs异质结,发现不同工的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由GaAs带间跃迁的Franz-Keleysh效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大,并计算出表面费密以级与导带底的距离f=0.27(0.03)eV,通过对Ga1-xAlxAs调制光谱分析,发现表面复盖层对Ga1-xAlxAs层的调制光谱线形有调节作用,不同厚度的  相似文献   
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