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Al,Ga取代Bi:DyIG薄膜的磁和磁光特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道用热分解法在玻璃衬底上制备了Al和Ga取代的Bi:DYIG薄膜,对其磁和磁光特性做了详细研究.Al和Ga取代的薄膜均可获得好的矩形比和高的矫顽力.对于Bi1.2Dy1.8Fe5-xMXO12(M=A1,GZ)薄膜,A1和G2的最佳替代成份分别为1.0和G.7;最佳晶化温度分别为700o℃和675℃.在波长510nm附近,法拉第旋转角可达8°/um左右.光学吸收和品质因子的研究结果表明,Al和Ga取代能够影响光学吸收和品质因子,其中Ga取代对光学吸收和品质因子的影响较大. 相似文献
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可录CD无机存储介质──AgOx的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了AgOx薄膜的光学性能、分解过程和记录特性.研究表明,在氩气分压为0.67Pa和氧气分压为2.0Pa的条件下,反应溅射制备的AgOx薄膜是非晶态的,在400℃热处理时,完全分解为Ag;本文成功地对AgOx薄膜进行了静态写入实验,AgOx有望成为一种新的CD-R存储介质. 相似文献
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介绍了关于Co/Pt多层膜和CoxPt1-x(x≈0.25)合金膜的垂直磁各向异性研究的情况。一般认为,Co/Pt多层膜的垂直磁各向异性主要源于界面外沿膜面法向的平移对称性中断以及Co与Pt的d电子杂化。界面处的合金化和界面不平整地垂直磁各向异性是不利的。而应力对界面各向异性的影响尚不十分清楚。在具有垂直磁各向异性的CoxPt1-x合金膜中观察到了Co的聚集,Co轨道磁矩和Co-Co对数中向异性。 相似文献
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