排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
本文研究了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料<110>方向的电子结构,对薄层超晶格和与之具有相同化学组份的混晶的色散关系作了比较。研究了带边状态密度在超晶格每一层的分布情况,计算了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格的能隙随厚度、组份的变化趋势。研究结果表明:薄层超晶格与具有相同化学组份的混晶的电子结构基本相同,能隙边状态密度偏重于分布在超晶格的GaInPAs原子层内。 相似文献
3.
以 In/InP(110)及 P/InP(110)表面模拟富 In及富P的InP表面,采用半经验的紧束缚方法计算了 In/InP(110)及 P/InP(110)表面的电子能态.并与实验结果相比较,讨论了InP(110)表面化学成分偏析对费米能级钉扎的影响. 相似文献
1