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1.
利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率   总被引:3,自引:2,他引:1  
采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变,即“光电压”信号作为频率标准,对InGaAsP长波长半导体激光器进行稳频。  相似文献   
2.
用固态杂质源在GaAs衬底上实现的连续波CO_2激光诱导Zn扩散   总被引:15,自引:4,他引:11  
用含Zn的固态杂质源,在化合物半导体GaAs基片上进行了连续波(CW)10.6μm激光诱导扩散,做出了P-N结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品进行扩散区形貌分析和杂质分布研究,给出了结深xj、杂质浓度分布C(x,t,T)等性能参数和扩散时间t、温度T等工艺参数之间的关系,获得了亚微米的扩散结结深及1020cm-3量级的表面掺杂浓度  相似文献   
3.
基于Franz-Keldysh效应.提出了一种新型的提高(HgCd)Te探测器抗激光致盲能力的新方法,同时给出了利用这种新方法实现自动保护功能的简单方案.并通过实验加以验证.证明这一方法能够大幅度提高(HgCd)Te探测器的抗激光致盲能力。  相似文献   
4.
由波导激光器的理论知道,为了降低平面镜的损耗,一般安装都是尽可能地靠近波导口。但实验发现,在没有过渡波导情况下,腔镜越靠近波导口越容易损坏,特别是镀金全反射镜,当其至波导口距离在10毫米以内时,只要激光管放电十几小时就可以明显地看到镀金膜的损伤。两支实验管镀金膜损坏的情况示于图1。镀金膜最初的损伤并不完全是在对准波导孔的中心处,而是在它的附近相应于等离子区转弯处。损伤出现后功率输出并不明显下降,直到对准波导处受到损伤时功率输出才有所下降,这期间两只实验管分别经历了50和30小时的正常运转。我们认为这表明金膜的损坏并不是因为腔内功率密度过高而烧毁的,而是一种缓慢的腐蚀过程,对这种腐蚀的机理,我们提出如下的分析。  相似文献   
5.
用于10.6 μm CO_2激光的小孔径Ge-Ag-Ni空心波导   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出了作为波导半径函数的弯曲损耗,讨论了小透光孔径波导的优越性,提出了射频(RF)溅射镀膜的一种新方法,然后用这种方法作成长度相同、导光孔径不同的几个样品,最后测定了几个样品的光透射率,并对其进行了分析比较。  相似文献   
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