浅谈电气工程质量控制与施工安全

随着社会的迅速发展，电气工程的地位和作用越来越重要。电气工程师在对自己负责的电气工程质量要有高度的责任心，本文针对搞好电气工程的质量控制和安全管理工作做一些论述，并对此提出一些自己的措施和建议。     

磁电阻薄膜材料噪声研究进展

磁电阻薄膜材料中的噪声表现出1/f特征,1/f噪声深刻地反映着介观系统内部的输运机制和磁序转变过程。系统总结了磁电阻薄膜中的1/f噪声理论,指出1/f噪声可分为磁1/f噪声和电1/f噪声,前者是1/f噪声的主要部分。1/f噪声与磁电阻薄膜的制备方式、内部缺陷、磁畴分布、体系结构和界面因素都有密切关系。改善界面结构和提高磁畴的稳定性可以改善1/f噪声。1/f噪声在检测器件稳定性和表征磁化转变过程方面有着非常重要的实际应用。     

一种具有消谐波正弦输出的AMR薄膜磁头设计

设计了一种消谐波正弦输出的AMR磁头，这种磁头是由AMR金属薄膜材料经过微加工工艺制成。通过对磁头输出波形的谐波分析和测试，表明该磁头具有优良的正弦输出特性、磁场灵敏度和信噪比，可以广泛应用于高精度磁栅位移检测和磁旋转编码器角度测量系统中。     

不同底层(Ag, Ti, Cu, Pt)对[Fe/Pt]n多层膜磁性的影响

利用磁控溅射的方法, 在热玻璃基片上制备了[Fe/Pt]n多层膜, 经不同温度真空热处理后, 得到L10有序结构的FePt薄膜(L10-FePt).实验结果表明 [Fe/Pt]n多层膜结构可使FePt薄膜的有序化温度由500 ℃降到350 ℃, 350 ℃退火20 min后其平行膜面矫顽力可达到421.8 kA·m-1.同时以Ag, Ti, Cu和Pt做底层, 利用[Fe/Pt]n多层膜结构制备了FePt薄膜, 磁性和X射线衍射结果表明 与[Fe/Pt]n多层膜相比, 四种底层均没有进一步降低FePt薄膜的有序化温度, 其中Ag做底层对[Fe/Pt]n多层膜退火后的平行膜面矫顽力影响较小, 但能够提高其垂直磁各向异性;其他底层均会降低[Fe/Pt]n多层膜在高温退火时的平行膜面矫顽力, 且对其垂直磁各向异性无改善作用.     

NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.     

纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响

采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响。实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升;CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。     

Al2O3层对超薄各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究

各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中.器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄.采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面,研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响.结果表明:由于Al2O3层的“镜面反射”作用,适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值, 当NiFe薄膜厚度为5 nm时,通过在界面处插入约2nm的Al2O3层,薄膜的磁电阻值从0.65%提高到了0.80%,增加幅度超过20%.性能提高的主要原因是除纳米Al2O3插层的“镜面反射”作用外, 抑制Ta/NiFe的界面反应以及减少Ta层分流也是重要的影响因素.     

Ta种子层对Ni65Co35薄膜微结构和磁性的影响

用直流磁控溅射方法制备了Ta（x nm）／Ni65Co35（40nm）双层薄膜（x=0，1，2，3，4，5nm），研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35（40nm）薄膜的各向异性磁电阻（AMR）和矫顽力的影响；通过X射线衍射（XRD）对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析．结果表明，适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜（111）织构形成，并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度．