下一代核心光网络解决方案—LambdXtreme^TM Transport

本文简要地介绍了朗讯科技最新一代长途密集波分复用系统-LambdaXtreme^TM Transport的系统特性和关键实现技术，LanbdaXtreme^TM Transprot是集超大容量、超长传输距离以及高度智能为一体的核心光网络平台，它大量采用了朗讯科技贝尔实验室最新的研究成果，为运营商提供了话音和数据业务的高速接入。     

校企合作推动新型嵌入式人才的培养

嵌入式技术的发展给企业既带来新机遇,又带来挑战,即如何把握嵌入式新技术的发展及应用,如何培养嵌入式人才。校企合作是企业进行嵌入式技术应用和培养嵌入式人才的良好方式。文章分析企业与高校之间合作的机制和方式,并通过实际的校企合作案例对其进行阐述。     

不同制备工艺对ZnS光学性能的影响

分别用真空热压、H2S模式的化学气相沉积以及S模式的化学气相沉积3种工艺方法制备了红外透过性能良好的ZnS材料.比较了不同的工艺过程对ZnS显微结构的影响,并且分析了不同制备方法形成的缺陷对光学性能的影响.探讨了热等静压工艺改善光学性能的原因和机理.透过谱图的测试表明,S模式的化学气相沉积法制备的ZnS具有最高的可见光至远红外的透过率.对3种方法制备的ZnS分别进行了热等静压后处理,发现对材料的光学透过性能都有不同程度的提高.     

稀土锆酸盐的制备和热膨胀性能

采用固相反应法制备了稀土锆酸盐材料.通过XRD图谱和SEM对材料的显微结构进行分析,并测试了不同温度下材料的热膨胀系数.结果表明稀土锆酸盐材料的热膨胀系数大约为11×10-6/℃,其值随着温度的升高而升高,升高的速率逐渐减小.随着原子序数的增大,热膨胀系数是逐渐减小的,这说明稀土锆酸盐材料的热稳定性是随着原子序数的增大逐渐增强的.     

基于参数可变遗传算法的炮兵通信网络覆盖控制优化

针对节点高密度部署的炮兵通信网络中优化工作节点集的选取问题,提出一种基于参数可变遗传算法的覆盖控制优化方法。设计了密度检测机制优化初始种群,并设计了即考虑到进化代数对算法影响,又考虑到每代中不同个体适应度对算法作用的自适应交叉概率和变异概率。仿真实验及分析表明,该优化方法快速有效地实现了工作节点数目少、节点集覆盖率高的工作节点集的选取,可有效地降低能耗,延长网络生存时间。     

TGARCH模型预测高炉铁水硅质量分数

为了更好地反映高炉铁水硅质量分数序列的高波动特性,利用门限广义自回归条件异方差（TGARCH）模型对硅质量分数序列进行预测.应用Portmantea Q检验、拉格朗日乘子检验以及非对称项系数显著性检验,验证了高炉铁水硅质量分数序列存在异方差性和非对称性.在此基础上将TGARCH模型应用于高炉铁水硅质量分数预测,采用极大似然估计法确定参数,建立TGARCH(1,1,1)预测模型,并采用命中率和误差率2种评价准则对预测结果进行分析.这种方法克服了以往模型没有考虑序列非对称性影响的缺陷,更加适合于高炉铁水硅质量分数的预测.将预测模型应用于包钢6号高炉,取得了较好的预测效果.     

反向工程中测量点云配准的新方法

在光学非接触三维测量中，复杂对象的重构需要多组测量数据的配准。为了获得好的配准结果，提出一种新的配准方法——直接误差分析配准方法。该方法基于一种新型的双目CCD光栅投影测量系统进行测量和分析。实验结果表明该测量方法的配准误差大约0．2mm左右．从而证实该方法的可行性。     

电沉积法制备Ni-Ti3SiC2复合镀层

以自制纯度超过98%(体积分数,下同)的Ti3SiC2陶瓷粉体为原料,加入分散剂和表面改性剂,制成稳定悬浮液,并加入Watts镀镍电镀液,利用磁力搅拌分散均匀,在阴极电流密度2 A/dm2～5 A/dm2下,在低碳钢基体表面成功得到Ni-Ti3SiC2减摩复合镀层.SEM观察表明,表面改性剂的加入有效地改变了粉体表面电导性质,得到致密平整的复合镀层结构.XRD及EDS分析表明:镀层中Ti3SiC2微粒含量为5%～14%(体积分数,下同).当制备过程中以间歇式搅拌代替连续搅拌时,可得到Ti3SiC2相含量超过30%的复合镀层.复合镀层的显微硬度随微粒含量的升高而增大.     

板料多道次拉深成形规律和性能的研究

在物理模拟的基础上，研究了板料拉深成形过程中，材料的性能参数和工艺参数对板料成形性能的影响，着重分析了对多道次拉深成形的影响。结果表明，无论是材料性能参数还是材料的工艺参数都对再拉深的影响比对单道次拉深的影响林大得多，但两种参数对多道次拉深的影响过程前后是一致的。同时可以看出，多道次拉深之间是相互影响的，不能割裂开来考虑。     

Sm2O3和Nd2O3共同掺杂CeO2基电解质材料的研究

采用柠檬酸-硝酸盐法合成出单一相、均匀的Ce0.8SmxNd0．2-xO19粉体，XRD结果表明该粉体为单相萤石结构，粒径约在11．7nm～20．1nm之间。将粉体干压成型，在1400℃下无压烧结5h可得到高致密度陶瓷。SEM照片显示陶瓷微观结构均匀，晶粒尺寸在2μm～4μm。经直流四端电极法测试得到该样品在500℃时电导率约在0．012 S／cm。该结果说明与单项掺杂相比，两相共掺杂会进一步提高材料的电导率。