垂直磁记录介质钴铬膜的磁性

<正> 近年来,对垂直磁记录介质及其记录特性的研究得到非常广泛地开展。由于它具有很强的垂直膜面的磁单轴各向异性,和近于零的相邻位的互退磁效应,因而信息记录密度可获得高达10~8位/吋~2的潜在可能。     

等效法测磁平绝对量值——Ⅱ、未知交流磁平的确定

<正> 一、原理方法待测量可为任何磁带的未知交流磁平φa。本工作φa选用待检测的BASF(IEC)开盘标准带的参考磁平,标称值320(nwb/m±5％),频率1 K Hz,带宽6.25(mm),带速38.1(cm/s)。测量系统包含交、直流磁化的走带、控制、监测系统Ⅰ和弱磁通量检测系统Ⅱ。测量方法分两部分:(一)作交流等效和直流等     

复合镀膜磁介质研究是磁记录的重要前沿方向

近年国外磁记录密度有惊人发展。IBM[1]和日立[2]先后分别超过1和2Gbpi2，都远超过光盘密度[3]。在多种技术改进中最基本的是磁介质。IBM用Cr＼CoCrPt＼C，日立用Cr＼CoCrPtsi＼CoCrPt＼C，都是复合镀膜磁介质。本文主要从复合镀膜介质微、磁结构和复合镀膜磁介质新材料这两个重要前沿研究方面来说明它们是复合镀膜磁介质研究的，也是磁记录的当前两个极重要的前沿方向     

电动车，电动车用电源及其发展战略

电动车作为新型交通工具 ,有着巨大的环保价值和广阔的市场前景。在系统地介绍了电动车的分类、当前国内外电动车以及各种电动车用动力型电源的研究现状和发展方向的基础上 ,对我国电动车产业发展战略提出了建议 ,指出了我国发展电动车产业两个可能的突破口 ,并进行了开设一条电动公交客车专线示范工程的经济可行性分析。从技术指标和经济指标分析 ,现阶段我国的电池技术已经初步可以满足我国发展电动车产业初级阶段的需要。     

钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构

用电子束蒸镀和二极直流溅射方法分别制备了钴铬垂直磁化薄膜。1)用VSM及X射线薄膜磁化强度取向摆动曲线的Δθ50等方法做了磁性等测量,结果表明蒸镀和溅射两种方法都能制备出优质钴铬垂直磁化薄膜;2)对Co-Cr垂直磁化薄膜的成分分布及微观形貌用高分辨透射电镜作了晶粒形貌、选区衍射和纳米束斑的能谱分析等研究。其中成分分布结果表明晶界处钴的集聚偏多,而非国际上流行的铬偏多;3)用STM作了晶粒形貌及表面起伏曲线,用AFM、MFM(磁力显微镜)分别做了同一区域晶粒形貌和相应磁畴结构的比较,实验都获得了很好的结果。钴铬固溶体薄膜是典…     

从第三届垂直磁记录国际会议看磁记录发展动态

94年10月10～14日东京第三届垂直磁记录国际会议的规模虽不大，但比较集中地反映了垂直磁记录历经“高低高”，正走出低谷，采用接触记录和继承了薄膜集成微型磁头及复合镀膜磁记录介质等国际先进技术，在微型硬磁盘高密记录、实用化和产品化有所突破。并反映了磁记录正满怀信心地向10Gbpi2，基至Tbpi2的高记录密度进军，在一些新技术前沿方向活跃地积极深入研究和发展