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利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试.针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺.用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm(电流密度为1μA/cm2),在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀.说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值. 相似文献
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相比于k-means算法,模糊C均值(FCM)通过引入模糊隶属度,考虑不同数据簇之间的相互作用,进而避免了聚类中心趋同性问题.然而模糊隶属度具有拖尾和翘尾的结构特征,因此使得FCM算法对噪声点和孤立点很敏感;此外,由于FCM算法倾向于将各数据簇均等分,因此算法对数据簇大小也很敏感,对非平衡数据簇聚类效果不佳.针对这些问题,本文提出了基于可靠性的鲁棒模糊聚类算法(RRFCM).该算法基于当前的聚类结果,对样本点进行可靠性分析,利用样本点的可靠性和局部近邻信息,突出不同数据簇之间的可分性,从而提高了算法对噪声的鲁棒性,并且降低了对非平衡数据簇大小的敏感性,得到了泛化性能更好的聚类结果.与相关算法进行对比,RRFCM算法在人造数据集,UCI真实数据集以及图像分割实验中均取得最优的结果. 相似文献
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纳米金刚石掺混对碳纳米管薄膜场发射性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高碳纳米管(CNT)阴极膜的场发射均匀性和稳定性,同时改善CNT膜的制作过程,本文提出一种掺混纳米金刚石(D)制作高性能丝网印刷CNT膜的方法.通过掺混碳相纳米金刚石,形成结构匹配的CNT/D复合膜,CNT膜内的间隙势垒减少,发射体分散更均匀,膜层与基底接触面积增加;同时,结合纳米金刚石的负电亲和势和场发射特性,可有效提高CNT阴极膜的导电性,增大有效发射体的密度.场发射特性测试表明CNT/D复合膜能得到1.89V/μm的低开启电场,在2.8V/μm场强下,场发射电流密度远高于普通CNT膜,达到463μA/cm2,与普通CNT阴极膜相比,CNT/D复合膜的场发射稳定性显著提高,在400℃热处理后CNT/D膜激发阳极发光更均匀. 相似文献
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针对碳纳米管场发射显示器亮度低、发光均匀性差的问题,提出了氧化锌掺杂的方法.通过将氧化锌(ZBO)颗粒和碳纳米管(CNTs)及其他有机物按比例配成浆料,丝网印刷制作了阴极试样.场发射特性研究结果表明:与具有同样印刷面积的普通CNT试样比较,掺杂试样的开启电场从1.70 V/μm降低到1.17 V/μm;在2.05 V/μm场强下发射电流从185μA上升到510μA.且掺杂氧化锌试样具有较好的发射稳定性和均匀性.通过微观表征和特性测试,初步推断场发射特性的提高的原因:由于混合掺杂试样中氧化锌地填充在碳纳米管之间或者覆盖在顶上,提高了膜层导电性,改善了发射体的热传导性,且增加了有效发射体密度. 相似文献
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文中介绍了一个微惯性测量组合(MIMU)的计算机辅助设计系统(CADS),对该系统的结构、硬件组成、软件设计进行了描述,重点介绍了系统软件设计中的关键技术:RS-232测试技术、VC和Labwindows/CVI的混合编程技术、多线程技术、VC和Matlab的混合编程技术。该系统具有良好的通用性和可扩展性,可以大大提高基于高性能CPU和CPLD、FPGA等技术的微惯性测量组合的研制效率。 相似文献
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本文介绍了应用IIS技术构建的"电路分析基础"课程试题库管理系统.该系统可以根据教师要求,进行课程章节的增减,试题类型、分数和数量的修改,能够实现手动成卷和自动成卷,并可以导出为Word形式直接打印.该系统的应用使"电路分析基础"课程命题组卷更具科学性和客观性,以便能真正实现教考分离,有效提高课程的教学水平. 相似文献
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提高碳纳米管阴极膜场发射特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过研究多步印刷制备的多层碳纳米管(CNTs)厚膜的场发射性能,发现开启电场随印刷次数增加而增加,二次印刷膜具有最好的场发射特性。微观特性研究表明,两步印刷制作的CNTs膜在热处理后界面间形成了良好的匹配结构,且底层膜与基底接触面积增加,从而增加了膜层导电性和形成欧姆接触的几率,并且提高了平均场增强因子。四种不同成分的CNTs膜一致显示两步印刷显著提高了CNTs阴极膜的场发射电流及发光均匀性。 相似文献