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应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP-InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的影响,载流子传输过程的时间依赖关系和倍增层中所处位置的影响,仿真结果表明:较高掺杂浓度和较薄电荷层结构可以改变器件内部的电场分布,进而提高增益值.当入射光波长为1.55μm,光功率为500 W/m2时,光电流响应量级在10-2A;阈值电压降低到10V以下,击穿电压为42.6V时,器件倍增增益值大于100. 相似文献
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研究了纳米多孔玻璃中的掺Eu^3 离子的YOCI固体粉末和EuCl3溶液的光谱性质.与普通的YOCI荧光粉末相比,纳米基YOCI:Eu^3 粉末中Eu^3 的电偶极跃迁^5Do→^7F2的发射光谱被展宽,同时蓝移7 nm;Eu^3 的^5Do→^7F1跃迁与^5Do→^7F2跃迁的相对强度之比在两种激发波长(254 nm及393nm)下均得以增大。与普通的EuCl3的溶液相比,纳米基溶液不具有典型的小尺寸效应及量子限域效应,但Eu^3 高能级的激发态引起的发光得以增强。由于这种复合方法同时吸收了纳米多孔玻璃形状一定、机械强度高等优点,这种基于纳米微孔玻璃的复合材料有望发展成为一种新型实用光学材料。 相似文献
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长波双色AlxGa1-xAs/GaAs量子阱红外探测器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10^-6、4.19×10^-6A;黑体探测率分别为1.5×10^9、6.7×10^9cm.Hz^1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。 相似文献
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介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。 相似文献