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为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10~(18)cm~(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。 相似文献
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叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的MOSFET渡越时间解析模型,计算结果与二维数值模拟符合较好,探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同,并作了物理解释,模型 表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于0.25μm的MOSFET不超过10%。 相似文献
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采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。 相似文献
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本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。 相似文献
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本文提出了一个为SIMOXSOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0×1018cm-2剂量范围和50—300keV能量范围.模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好.本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSITCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TFSOI结构的理论依据. 相似文献
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介绍了扎赉诺尔水厂为提高供水水质,延长滤池运行周期,将原有的平流沉淀池末端沉淀区改造成斜管沉淀池,并简要分析了沉淀池改造方案、实施情况及改造后的运行效果。 相似文献
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分析了电子枪零件的结构工艺性,提出了合理的工艺方案,阐述了模具的设计、结构、工作过程等。为了解决电子枪零件尺寸精度高、外观要求严格等问题,特制定了落料、一次拉深、二次拉深、整型、冲预孔、反拉深、冲本孔、翻孔、扩孔、切边等十个工序冲制零件;为了降低调整难度,采用了大泽多工位冲床,并介绍了此冲床的特点。该模具已投入生产使用,工作稳定,制件质量符合要求。 相似文献
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叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的MOSFET渡越时间解析模型,计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型,探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同,并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于0.25μm的MOSFET不超过10% 相似文献
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提出了一个考虑速度过冲效应的亚1/4微米MOSFET器件解析模型。亚1/4微米MOSFET靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似,根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果,提出了一个半经验速度过冲因子模型。用此模型和准二维分析方法,得到了解析的漏电流、跨导模型。计算得到的漏电流、跨导与有关实验报导符合较好。速度过冲分析得到的器件速度过冲模型与沟道掺杂浓度的关系得到了有关实验验证。 相似文献
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