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1.
本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了分析。仿真结果显示:栅源复合场板结构能改善栅场板边缘的电场峰值,在源极场板边缘产生一个新的峰值,可使器件的击穿电压提高到1365V;间断栅场板与源场板复合结构,能在场板间隙位置产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,使其击穿电压值达到1478V;栅源复合间断场板结构能缓解源场板对栅间断处电场峰值的抑制作用,器件击穿电压提高到最大值1546V。  相似文献   
2.
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展   总被引:2,自引:1,他引:1  
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速.文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型.  相似文献   
3.
以山荆子汁、大麦芽和小麦芽为主要原料,采用低温啤酒发酵工艺酿造山荆子果啤。通过单因素试验和正交试验,以感官评定为评价标准优化山荆子果啤的发酵条件。结果表明:添加20%小麦芽、麦汁糖化温度65℃、山荆子汁添加量10%、酵母添加量3.0%、发酵温度为15℃、发酵时间5 d为最适发酵条件。此条件下制得的山荆子果啤既保持了啤酒的风味特征,同时又赋予其山荆子的特殊风味。  相似文献   
4.
体育学科是在诸多学科中,备受学生们欢迎的。为了能有良好的体制,体育教学在教学的过程中,一般都会加强在体育锻炼方面的力度,从而让学生们在身心方面都能够得到培养。本文通过对体育教学的现状进行分析,从而在教育的方式和理念方面进行一定的探讨。由于目前教育强调培养学生们的个性,因此在体育教学中,也应该能够加强对于个性化的应用。因此,本文重点分析个性化教学理念在体育教学中的应用。  相似文献   
5.
基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性,首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑。基于该模型,我们对 和 两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究。与 晶圆相比, 晶圆的碰撞电离系数较小,可以实现更高的击穿电压。由于碰撞电离各向异性,与传统4H-SiC基器件相比,超结器件的二维电场分布可以将 晶圆器件的击穿电压从 晶圆器件的60%提高到72%。  相似文献   
6.
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。  相似文献   
7.
在微机控制电液伺服压力试验机上对高性能橡胶粉混凝土(HPRC)试件进行单轴压缩试验,研究了橡胶粉体积掺量和应变率对高性能橡胶粉混凝土性能的影响.研究结果表明,高性能橡胶粉混凝土峰值应力和割线模量表现出一定的应变率强化效应,而橡胶粉的掺入会降低峰值应力和割线模量提升的幅度;峰值应变未表现出应变率敏感性,橡胶粉的掺入会增强混凝土的变形能力;分析了应变能与试件破坏形态的关系,应变率增大,试件破坏前贮存的应变能增大,试件破坏更严重,呈脆性破坏,掺入橡胶粉后,混凝土的韧性改善较大,试件破坏时呈现裂而不散的特性.  相似文献   
8.
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100~130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.  相似文献   
9.
本文采用高真空电子束蒸发方法在HfO2栅介质上依次沉积了Si膜与Ni膜并结合一步快速退火制备了Ni基全硅化物金属栅(Ni-FUSI)。X射线衍射和拉曼光谱结果表明经过快速退火处理金属栅完成了硅化反应其主相为镍硅化物相。我们通过制备Ni-FUSI/ HfO2 /Si结构(MIS)电容研究了NiSi栅的电学性能。测得的C-V曲线积累区曲线平坦,从积累区到反型区界面陡峭,滞回电压很小,提取的NiSi功函数为5.44eV~5.53eV。MIS电容漏电流很小,在栅压为-1V时漏电流密度只有1.45?10-8A/cm-2。  相似文献   
10.
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高...  相似文献   
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