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1.
我矿是白云石加工的一座中型矿山,该矿生产的0 ̄3mm白云石矿粉所用的破碎设备为WG1225×940锤式破碎机。为保证矿粉粒度和生产效率,每班必须多次调整立蓖板与锤头的间隙。原有的调整结构如图1,调整时必须将箱体门4打开,然后在调整杆1和基座2之间加调整垫,在调整前还必须把覆盖在调整杆1上的矿粉清除后才能调整,这种调整方式不仅劳动强度大,而且耽误时间,不利于提高生产效率。为了解决调整困难的问题,该矿改进了调整部件结构,通过使用取得了良好的效果。改进形式如图2,即在调整杆1的尾部焊一块钢板作为顶板2,将箱体门板3改短,在其下方加装一…  相似文献   
2.
杭州湾跨海大桥北航道桥为主跨448m的钻石型双塔双空间索面钢箱梁斜拉桥,通航净空为47m,按双向六车道高速公路设计,设计时速100km/h。为改善行车安全性,国内首次在栏杆外侧设置了风障(高度从近塔4.27m至远塔3.4m),为了确保整桥隽秀的景观前提下开发了带转向机构的拉索减振器,对全桥拉索进行了理论分析和安装减振器后的实桥测试。  相似文献   
3.
变换煤气的腐蚀问题及解决措施   总被引:1,自引:0,他引:1  
河南龙宇煤化工年产50万t甲醇装置,采用三级粗煤气变换技术。在试运行过程中出现变换管道腐蚀破裂现象,本文对腐蚀原因进行分析,并提出解决措施。  相似文献   
4.
<正> 四、回线式富兰克林天线图4.1为廻线式富兰克林天线,天线两臂中部绕几个弯,形成廻线。我们首先分析廻线部分,把廻线上电流分解成辐射电流和传输电流两部分,如图4.2所示。  相似文献   
5.
基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。  相似文献   
6.
电磁辐射技术在鹤岗南山煤矿突出预测中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用电磁辐射监测技术,结合常规预测法,在鹤岗南山矿进行煤与瓦斯突出危险性预测。实践表明,电磁辐射信息综合反映了南山矿煤与瓦斯突出危险的主要影响因素和危险程度。通过南山矿突出危险工作面电磁辐射指标与常规指标的对比表明,电磁辐射指标与钻屑瓦斯解吸指标Δh2和钻屑量S这两个常规指标有着较好的一致性,而与钻孔瓦斯涌出初速度q的一致性较差。因此可以采用S,Δh2指标与电磁辐射指标相结合的方式对南山矿煤与瓦斯突出危险进行综合预测。  相似文献   
7.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造   总被引:1,自引:1,他引:0  
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。  相似文献   
8.
为了研究隧道埋深和施工方法对二衬支护时机的影响,以广梧高速公路牛车顶隧道为工程背景,建立数值计算模型,分别改变隧道埋深和施工方法,得到相应的隧道二衬支护时机.结果表明:通过数值计算,可定量得到二衬及掌子面之间的允许距离和埋深的关系;当埋深较小时,二衬与掌子面的允许距离随着埋深的增加而增加;当埋深超过某一限值时,隧道二衬与掌子面的允许距离基本不变;开挖工法对二衬与掌子面间的允许距离影响比较显著,而对仰拱与掌子面的允许距离影响很小.随着开挖断面分部的增加,开挖对围岩的扰动减小,因而可以适当延缓构筑二衬时机.若选取Ⅲ级围岩中的全断面开挖法作为参考基准,则围岩中二衬与掌子面的允许距离将由于选择不同工法需进行修正,相应的修正值为:全断面法1.0,上下台阶法和中隔壁法均为1.5.  相似文献   
9.
低压VDMOSFET''Ron的最佳比例设计研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系,重点讨论了N沟道VDMOSFET的P体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp-和Tox的关系,最后阐述了器件的最佳化设计思想。  相似文献   
10.
关于方口径多模喇叭,已有很多文章进行过研究,特别是文章[1]进行过详细的分析、计算。本文与从前的一些分析文章不同之处在于考虑喇叭中传输的各种模式的波阻抗及场强归一化系数的不同,得出同时包含电场边界条件与磁场边界条件的平均模转换系数,同时,在具体计算模转换系数时,用菲涅尔函数代替数值积分,在精度上与数值积分相同,但可显著提高计算速度。这样,在喇叭的设计中,综合喇叭口径模比就很方便。最后,导出考虑各截面的反射时的代数方程组。  相似文献   
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