n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究

采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器。测试结果表明:器件明显增强了200～400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应。器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值。     

半导体DFB激光多波长锁定器

密集波分复用 (ＤＷＤＭ )技术是扩大光纤通信传输容量的有效途径 ,国际通信联盟 (ＩＴＵ )规定了光纤中光载波信道间距为 10 0ＧＨｚ或 5 0ＧＨｚ ,相应的波长间距分别为 0 8ｎｍ和 0 4ｎｍ ,这便要求各信道上的ＤＦＢ激光器的波长有较高的稳定度 ,例如波长漂移 <2ＧＨｚ。     

半导体DFB激光多波长锁定器

密集波分复用(DWDM)技术是扩大光纤通信传输容量的有效途径,国际通信联盟(ITU)规定了光纤中光载波信道间距为100GHz或50GHz,相应的波长间距分别为0.8 nm和0.4 nm,这便要求各信道上的DFB激光器的波长有较高的稳定度,例如波长漂移<2 GHz。