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1.
ZnO薄膜材料的发光特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
回顾了最近几年对ZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍了用不同方法制备ZnO薄膜的自发辐射和受激辐射发光特性。  相似文献   
2.
回顾了最近几年对 Zn O薄膜材料发光特性的研究进展 ,介绍了用不同方法制备 Zn O薄膜的自发辐射和受激辐射发光特性。  相似文献   
3.
射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光   总被引:11,自引:4,他引:7  
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁.随着光激发强度的增加,紫光发射强度超线性增强,且稍有蓝移,而紫外光发光强度则近似线性增加.在氧气中高温退火后,薄膜结晶质量明显提高,紫光发射强度变弱,紫外光发射相对增强.  相似文献   
4.
采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0.23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性.XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,且具有沿c轴的择优取向,晶格常数与ZnO晶体的近似相等.Raman光谱不仅揭示MgxZn1-xO薄膜具有六角纤锌矿结构,而且也表明MgxZn1-xO薄膜的结晶质量比在相同条件下制备的ZnO薄膜好.AFM图像则显示出MgxZn1-xO薄膜为多晶结构.  相似文献   
5.
本文设计了一款二进制增益控制,带有直流失调消除(DCOC)电路以及AB类输出buffer的可编程增益放大器。该放大器采用二极管连接负载的差分放大器结构,电路性能对温度变化及工艺偏差不敏感。根据测试,通过6位数字信号控制,电路可以实现-2dB ~ 61dB的增益动态范围,增益步长1dB,步长误差在 0.38dB以内,最小3dB带宽为92MHz,在低增益模式下,IIP3可达17dBm,1dB压缩点可达5.7dBm。DCOC电路可使该放大器应用于直接变频接收机中,而AB类输出buffer则降低了电路的静态功耗。  相似文献   
6.
Zn1-xMgxO透过率高、带隙可调,且与CIGS太阳电池在晶格和能带结构上匹配良好,可用作CIGS太阳电池缓冲层、窗口层,因此制备高质量的Zn1-xMgxO薄膜是提高太阳电池性能的关键。文章介绍了Zn1-xMgxO薄膜的结构特性、光学特性及制备方法;从Mg含量、Zn1-xMgxO膜厚及Zn1-xMgxO/CIGS界面处缺陷密度等方面概述了Zn1-xMgxO用于CIGS太阳电池的研究进展,并比较了Zn1-xMgxO与In2S3,ZnS,CdS等其他材料作缓冲层的CIGS太阳电池性能的差别。  相似文献   
7.
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁.随着光激发强度的增加,紫光发射强度超线性增强,且稍有蓝移,而紫外光发光强度则近似线性增加.在氧气中高温退火后,薄膜结晶质量明显提高,紫光发射强度变弱,紫外光发射相对增强.  相似文献   
8.
柔性衬底氧化物半导体透明导电膜的研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜(包括锡掺杂的三氧化二铟ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等)的研究进展情况。报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工芑及制备参数的依赖关系,给出了在此领域内应进一步进行的工作。  相似文献   
9.
报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的.  相似文献   
10.
报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的.  相似文献   
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