Ni50Mn37In13磁驱动形状记忆合金薄膜中的交换偏置

研究了磁场冷却前后Ni50Mn37In13磁驱动形状记忆合金薄膜在低温下的磁学行为。结果表明:磁场冷却后的Ni50Mn37In13薄膜在10 K温度下表现出一定的交换偏置效应。在特征温度Tf以下,零场冷却状态下的Ni50Mn37In13合金处于超自旋玻璃态,而经磁场冷却后发生了从自旋玻璃态向磁有序的超铁磁结构的变化。超铁磁结构中的超铁磁团簇与反铁磁基体构成了铁磁/反铁磁耦合,从而导致了交换偏置的产生。     

Mn-Zn功率铁氧体微量添加物的研究进展

铁氧体材料宏观电磁特性取决于材料的成分和微观结构.特定微观结构的获得取决于材料配方、制备工艺及掺杂.对于一定的基本配方,掺杂能够有效地改善材料的微观结构和电磁性能,因此,掺杂改性是铁氧体材料研究的重要内容.文章综合介绍了常见化合物、稀土氧化物和纳米氧化物等微量掺杂物的作用和对Mn-Zn功率铁氧体电磁性能的影响.根据目前的发展现状,指出了Mn-Zn功率铁氧体材料的研究方向.以期对功率铁氧体材料的微量添加研究提供有益的参考.     

低维Bi_2Te_3热电材料的制备与性能研究

用溶剂热法制备了直径在100nm以内的一维针状及厚20～30nm、长几微米的二维花朵状Bi2Te3热电材料,分析了不同形貌产物的生长机理,并对其热电性能进行了比较。结果表明,添加剂的分子结构对产物形貌起决定性作用。不同形貌产物的热电性能随温度变化的机制不同,一维纳米结构Bi2Te3产物的功率因子随温度升高而增加,最大值为143.1μΩ·m–1K–2。而二维纳米结构的Bi2Te3产物虽然在室温附近有较大的Seebeck系数,约100μV/K,但由于其电导率较低,功率因子在较宽的温度范围内保持在23μΩ·m–1K–2左右。     

退火对IrMn基自旋阀结构和磁性能的影响

采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Cu(2.5nm)/Co75Fe25(5nm)/ Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的顶钉扎自旋阀多层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM) 和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对自旋阀的结构及磁性能的影响.结果表明:退火使得IrMn(111)织构减弱,表面/界面粗糙度在低温退火后增大,而较高温度退火后减小;退火后交换偏置场和被钉扎层矫顽力减小,而自由层矫顽力增加;退火后自旋阀多层膜交换偏置场随样品在反向饱和场下停留时间的增加而不发生变化.     

退火对CoFe/IrMn双层膜结构和磁性能的影响

采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的双层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对双层膜的结构及磁性能的影响;并通过样品在反向饱和场下停留不同的时间,研究了退火对双层膜的磁稳定性的影响。结果表明,退火使得IrMn(111)织构减弱,表面/界面粗糙度增大,交换偏置场减小,矫顽力增加,退火降低了双层膜的磁稳定性。     

CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋阀结构多层膜磁化反转过程的研究

通过高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75 Fe25(5nm)/Cu(2.5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20 Mn80(12nm)/Ta(8nm)的顶钉扎自旋阀结构多层膜,研究了磁场循环次数、反向饱和场等待时间和磁场变化率对自旋阀结构多层膜磁化反转过程的影响.结果表明,磁场循环次数和反向饱和场等待时间对自由层的磁化反转过程没有影响,而在被钉扎层中出现了练习效应和时间效应;磁场变化率对被钉扎层和自由层的前、后支反转场的影响变化趋势相似,但反铁磁层对被钉扎层的反转有一定的影响.     

Y2Fe17—xMnx的结构和磁性

Ｘ射线衍射证实了Ｙ２Ｆｅ１７－ｘＭｎｘ的结构与Ｙ２Ｆｅ１７相同Ｙ２Ｆｅ１７－ｘＭｎｘ化合物晶格常数，居里温度，饱和磁化强度和研究结果表明：晶格常数并非随Ｍｎ含量的增加而连续增大，而是在ｘ＝２．０处出现一最小值。     

ZrO_2和SnO_2复合掺杂对贫铁配方的MnZn铁氧体磁性能和电性能的影响

通过ZrO2与SnO2复合掺杂制备了低损耗的MnZn铁氧体材料.研究了在贫铁配方的基础上添加SnO2-ZrO2对MnZn铁氧体微观结构、电性能以及磁性能的影响.结果表明,适量的SnO2-ZrO2复合掺杂有利于促进晶粒均匀致密,明显提高了材料的电阻率,降低比损耗因子,在ξ(SnO2:ZrO2)为3:1时材料的电阻率达到最大值29.5 Ωm,比损耗因子达到最小值4.8×10-6.复合掺杂还能提高材料的居里温度、饱和磁感应强度和起始磁导率,当ξ(SnO2:ZrO2)为3:1时磁性能都达到最佳.     

B2O3-Li2O低温助烧ZMSZT陶瓷的微波介电性能

为了研究了B2O3与Li2O添加剂对(Zn0.8Mg0.2)2SiO4-ZrO2-TiO2(ZMSZT)基微波介质陶瓷的性能影响,分别采用排水法、XRD、SEM以及网络分析仪表征单独添加及复合添加B2O3与Li2O的ZMSZT微波介质陶瓷的致密性、微观结构及介电性能。结果显示在ZMSZT陶瓷中同时添加1wt%B2O3和4wt%Li2O可有效提高其烧结性能,在930℃/3 h烧结条件下可以获得较高的致密性及微波介电性:ρ=3.83 g/cm3,εr=9.36,Qf≈30 120 GHz(f=10.3 GHz),τf=-5.71×10-6/℃。这种B2O3与Li2O复合添加的ZMSZT陶瓷可以应用到LTCC(低温共烧陶瓷)领域。     

Magnetic Properties of NdMn_(6-x) Co_x Sn_6 Compounds

ＭａｇｎｅｔｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＮｄＭｎ_（６－ｘ）Ｃｏ_ｘＳｎ_６ＣｏｍｐｏｕｎｄｓＺｈｏｕＫａｉｗｅｎ（周开文）；ＹａｎｇＦｕｍｉｎｇ（杨伏明）；ＨｕＪｉｆａｎ（胡季帆）ＷａｎｇＪｉａｎｌｉ（王建立）；ＷａｎｇＹｉｎｇａｎｇ（王寅岗）；Ｔａ?..