基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制

介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法，提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法，设计了可辐射回避的在线测试系统，并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明，测试系统能准确、可靠地进行配置存储器测试，辐射回避是实现大规模集成电路瞬时电离辐射效应测试的有效手段。     

CMOS存储器瞬时辐照效应规律实验研究

对超深亚微米存储器(32 k SRAM)激光辐照下的剂量率效应进行了初步研究,实验测量了SRAM激光辐照下的效应规律,比较了零时SRAM的状态(读状态和片选无效状态)对效应规律的影响,得到了一些初步的效应规律.     

商用三端稳压器的中子辐射效应

实验研究了两种型号(CJ79L05011和CJ7905011)的商用三端稳压器在不同负载情况下中子辐射效应,得到了输出电压随中子注量的变化曲线。借助三端稳压器的简化模型,分析认为中子辐射下晶体管放大倍数的减少是造成三端稳压器输出电压变化的关键因素,并理论推导了输出电压和晶体管放大倍数的关系,利用PSPICE软件进行了模拟仿真,结果表明理论曲线和实验现象是基本一致的。     

水稳剂(Pc602)在城市热网中的应用

随着四化建设的发展,集中供热的热潮正蓬勃兴起。这不仅节约能源,而且还给人们的生活带来了方便,然而,一个热网的建成是要投入巨额资金的。一般说来,一个供热面积为二百万平方米的热网系统大约需投资二千万元。因此为延长热网的使用年限,对热网中的循环水进行处理,以减少对管网的腐蚀。这是一个十分重要的问题。基于上述情况,我们对水稳剂Pc602(北京化工学院研制的多元醇磷酸酯类水稳剂)。在城市热网中的应用进行了一些试验。如     

0.18 μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18 μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18 μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。     

0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。     

用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算

用一种比较简单的Jaffe近似方法计算了质子在SiO2中的电子空穴对的逃逸率,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响.得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比的结果.计算结果与实验结果的比较,说明了Jaffe近似方法可以比较正确地描述质子在二氧化硅中的总剂量效应.