大功率垂直腔底发射半导体激光器的光束质量

从M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等方面对大功率底发射半导体激光器光束质量进行研究,分析了不同器件参数对光束质量的影响,为寻找有效改善光束质量的方法提供了依据。设计了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光(VCSEL)阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,在4 A的工作电流下得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布。与具有相同出光面积的单管器件和4×4二维阵列比较,新型阵列的光谱特性及光束质量均具有优越性。     

微等离子灯的优点

平面等离子灯由于具有厚度薄、发光面积大的优点,在医疗和其它领域有着广泛的应用前景.经过实验证实,厚度<1 mm的等离子灯辐射的面积可以高达900 cm2.并且还有进一步提高的空间,目前正处于进一步的研究中.     

在蓝光LED和激光器外延片上消除弯曲

德国LayTec公司和费迪南-布劳恩研究所提出了一项新型在线检测技术,通过减少晶片的弯曲来优化蓝光LED和激光二极管的外延生长. LayTec公司的新型在位传感器能够提供在位应力、温度和反射率的同时检测,这有利于蓝光LED和激光器的生产与发展.     

半导体激光器低热阻液冷热沉研究现状与展望

近年来,半导体激光器输出功率持续增加,引发热负载受限问题。热负载使芯片有源区产生温升,进一步影响芯片温度分布,导致半导体激光器(Laser diode, LD)芯片性能逐渐劣化。而对于确定的封装形式,热沉热阻成为控制温升的决定性因素。因此,降低热沉热阻对提升半导体激光器输出能力与光束性质具有重要意义。液冷热沉可以有效降低热阻,本文从液冷热沉材料、液冷热沉结构和液冷冷媒性质三个方面,回顾了近30年LD液冷热沉热阻演变进程,总结了液冷热沉发展过程中热阻的影响因素,进一步探讨了降低热阻的发展方向与应用前景。     

808nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器的结构设计

为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)在808 nm波长的激射,对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体模型理论、克龙尼克-潘纳模型和光学传输矩阵方法,计算了压应变InGaAlAs量子阱的带隙、带阶、量子化子能级以及分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱,从而确定了量子阱的组分、厚度以及反射镜的对数。数值模拟的结果表明,阱宽为6 nm的In0.14Ga0.74Al0.12As/Al0.3Ga0.7As量子阱,在室温下激射波长在800 nm左右,其峰值材料增益在工作温度下达到4000 cm-1;渐变层为20 nm的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As DBR,出光p面为23对时反射率为99.57%,全反射n面为39.5对时反射率为99.94%。设计的顶发射VCSEL结构通过光电集成专业软件(PICS3D)验证,得到室温下的光谱中心波长在800 nm处,证实了结构设计的正确性。     

高功率中红外半导体碟形激光器的进展

短波长高性能激光器用途广泛,包括中红外光谱范围在1.9～2.5μm的远距离通信、大气遥感、大气污染检测。然而,满足该性能特点的简洁高效的激光光源尚未利用。在过去几年,主要的进展集中在发展光泵浦（AlGaIn）（AsSb）量子阱半导体碟形激光器上,发射波长为2.xμm的中红外谱区,连续输出功率超过6W,脉冲功率超过16W。此外,单频工作线宽〈4MHz,调谐宽度高达170nm,光束质量接近衍射极限。这些优异的性能只有通过高质量的外延生长、合理的器件设计、高效的热处理才能得以实现。     

高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器

报道了优化p面电极的高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器(VCSEL).采用数学模型对VCSEL的电流密度进行了模拟计算,发现电流密度分布由氧化孔直径和p面电极直径决定.确定氧化孔直径后,优化p面电极直径可以实现电流密度的均匀分布,抑制远场光斑中高阶边模的产生.将p面电极直径优化为580μm,制作的600μm的VCSEL远场发散角从30°减小到15°,优化器件的阈值电流和最高输出功率都略有增加.通过改进器件封装方式后,器件输出功率达到2.01W,激射波长为982.6nm.     

双应力交叉步进加速退化试验下大功率半导体激光器寿命预测方法

高可靠性已成为大功率半导体激光器实用化的重要指标之一，而寿命预测是大功率半导体激光器可靠性评估的首要环节。文中提出了一种双应力交叉步进加速退化的试验方法，对830 nm F-mount封装的大功率半导体激光器进行了四种不同的双应力条件A[22℃，1.4 A],B[42℃，1.4 A],C[42℃，1.8 A],D[62℃，1.8 A]下的电流-温度交叉步进加速退化试验研究，对光输出功率退化轨迹进行拟合，按照80%功率退化作为失效判据，结合修正后的艾琳模型和威布尔分布外推得到器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF)为5 811 h。文中给出了完整的加速退化模型建立过程与详细的外推寿命计算方法，并对模型进行了准确性检验，误差不超过10%。该方法相比单应力恒定加速试验方法，可以大幅度节约试验时间和试验成本，这对于大功率半导体激光器的自主研制具有重要的指导意义。     

从印度新德里看城市遥感技术在快速发展的大都市中的应用

城市遥感技术现已成为城市规划、建设和管理不可分割的重要组成部分和技术支持，是大型城市进行城市决策的重要辅助工具。卫星遥感多样化的数据采集功能与社会经济信息相结合，为规划和监测新兴城市的变化提供了强有力的工具。     

微透镜稳定微芯片垂直外腔面发射激光器

金刚石微透镜既可以作为输出耦合器又可以充当热沉.垂直外腔面发射激光器(VECSEL)用途广泛,制作简单,波长范围广,光束质量好,不像边发射激光器那样需要光束整形.尽管VECSEL只是平-平谐振腔集成到半导体芯片上的单片结构,但是它有单独的外部输出耦合镜.由于VECSEL的外腔输出镜的光学特性允许把聚焦或波长选择加到谐振腔的设计中,所以它比垂直腔面发射激光器(VCSEL)用途更加广泛.