全文获取类型
收费全文 | 71篇 |
免费 | 7篇 |
国内免费 | 118篇 |
专业分类
综合类 | 1篇 |
金属工艺 | 4篇 |
机械仪表 | 1篇 |
无线电 | 184篇 |
一般工业技术 | 2篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 3篇 |
出版年
2013年 | 1篇 |
2012年 | 1篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 2篇 |
2006年 | 10篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 15篇 |
2002年 | 19篇 |
2001年 | 33篇 |
2000年 | 15篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 17篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 6篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 4篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有196条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
SOI数模混合集成电路的串扰特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响.还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究.并给出了SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响,所得到的结果对设计低噪声耦合的SOI数模混合集成电路具有指导性的作用. 相似文献
3.
4.
本文首先分析数字家庭控制网络的体系结构,介绍了此类网络的作用及国内外数字家庭网络的发展趋势及动态。接着,我们对家庭网络协议进行了分析和介绍。之后,我们给出了SOC平台的架构及性能分析并简要介绍了SOC平台软件的开发。最后,针对SOC设计过程中可能遇到的挑战,提出了独到的见解。 相似文献
5.
6.
本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。 相似文献
7.
8.
9.
形成SOI结构的ELO技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm. 相似文献
10.