微电子封装用各向异性导电胶膜的研究进展

综述了各向异性导电胶膜的结构、导电机理、性能指标及其研究进展,提出了各向异性导电胶膜存在的技术问题及发展方向,为进一步研究开发性价比更高的微电子互连用各向异性导电胶膜提供技术参考。     

SiC薄膜热敏电阻器及温度传感器

利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。     

化学气相沉积

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是利用化学反应由气相生长固体物质的方法。一般把反应物是气体而生成物之一是固体的反应称为CVD反应。通常CVD要利用高温或其它激活方法,依靠化学反应制取所需要的薄厚膜。     

高密度封装进展之五——采用无源元件和有源元件埋入技术实现的模块内系统封装

介绍了将无源元件和有源元件埋置于基板内部的三维封装模块SIMPACT。其利用热固性树脂和无机填料构成的复合材料,在不造成元件损伤的前提下,能在多层基板的任意层内三维埋入元件,由此构成一个封装内具有系统功能的小型模块。     

欧盟（EU）WEEE／RoHS指令案概要

本简要介绍了欧盟于2003年2月13日颁布的WEEE／RoHS指令案的主要内容。     

活性反应离子镀TiN试验研究

一、引言离子镀(Ion Plating)是由D.M.Mattox于1963年首先提出,经过二十年的试验研究而发展起来的现代镀膜技术。它是在真空室中使气体或被蒸发物质离化,在气体离子或被蒸发物质离子冲击作用的同时把蒸发物或其反应产物蒸镀在基体上的方法。在离子镀的过程中,气体或被蒸发的金属原子进入等离子区有一部分被电离,离子受到电场的加速作用对准基体加速前进,因此入射到基板时就带有较高的能量,在此,膜层的成核与生长所需的     

射频溅射制取SiC薄膜

用烧结多晶碳化硅靶采用射频溅射制取了SiC薄膜;通过加热基片和镀后的高温退火实现了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变;利用AES、XPS、TEM、IR、UPS等对SiC薄膜的成分、结构、形貌、结合状态进行了分析;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。     

AlN基板与金属化层界面的分析电镜研究

利用各种分析电镜观察了掺杂助烧剂和未掺杂助烧剂的ＡｌＮ陶瓷的微观结构特征，鉴别了ＡｌＮ中的第二相，研究了ＡｌＮ基板上薄膜（Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ）和厚膜（Ｍｏ－Ｍｎ）金属化界面的结构。     

IC塑料封装中的损伤

芯片集成度的提高和大面积化，封装多针脚、细引线、小型化等会引起器件可靠性的下降。本文依据强度理论和试验，预测塑料封装中的损伤模型并提出了减少损伤，增加了可靠性的措施。