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随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小,数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路,单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法,主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性,设计电路中MOS管的尺寸,使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手,计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数,得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容,再折算到器件电容上,最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。 相似文献
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通过对某电厂异步电动机连续6 a的电机事故情况的分析,总结出引起高压电动机和低压电动机烧损的各种事故原因,从理论上对主要原因进行分析,并提出相应的防范措施。 相似文献
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在新疆石河子地区,在滴灌、种植密度和田间配置方式相同的条件下,比较了春播与复播油葵品种新葵20号产量形成及群体生理参数。结果表明,春播条件下,生育期、生物产量、籽实产量、收获指数分别为97d、9271.9kg/hm^2、4349.Okg,/hm^2、0.47,复播条件下则分别为94d、14413.5kg/hm^2、4106.4kg/hm^2、0.35。春播和复播的最大叶面积指数(LAImax)分别为4.54和5.52。每公顷春播的光合势(LAD)为93.25m。d,开花后占77.6%;复播则为94.12m。d,开花后占82.9%。春、复播全生育期平均净同化率(NAR)分别为3.67、5.26g/(m^2·d)。采用更早熟的品种,提早播种,使灌浆提前,加之使用植物生长调节剂以增强光合产物向籽实转移,有望进一步提高复播油葵产量。 相似文献
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