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表面肌电(Surface Electromyography,sEMG)信号直接、客观地反映了人体肌肉的活动情况,其作为一种便捷的无侵入式肌电检测方法,被广泛地应用于人体动作识别领域.针对表面肌电信号的手势识别问题,提出了一种基于时域特征和向量正则核函数逼近方法(Vector-Valued Regularized Kernel Function Approximation,VVRKFA)的手势识别方法.首先,对MYO臂环采集到的sEMG数据进行活动段检测以提取出活动段;随后,从活动段信号中提取平均绝对值、波形长度、过零点数、均方根和Willison幅值等五个时域特征;最后,应用VVRKFA分类器对提取到的sEMG进行分类识别,同时采用花授粉算法(Flower Pollination Algorithm,FPA)优化分类器参数以保证最佳分类能力.实验结果表明提出的方法在手势动作模式识别上取得了较高的准确率. 相似文献
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基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8nm,而电子束蒸发法制备的200nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3nm。两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用。将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高了1.6倍。 相似文献
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Amorphous GaAs1-xNx(a-GaAs1-xNx) thin films have been deposited at room temperature by a reactive magnetron sputtering technique on glass substrates with different sputtering pressures.The thickness,nitrogen content,carrier concentration and transmittance of the as-deposited films were determined experimentally.The influence of sputtering pressure on the optical band gap,refractive index and dispersion parameters(Eo,Ed) has been investigated.An analysis of the absorption coefficient revealed a direct optical transition characterizing the asdeposited films.The refractive index dispersions of the as-deposited a-GaAs1-xNx films fitted well to the Cauchy dispersion relation and the Wemple model. 相似文献
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GaAs表面硫钝化工艺新研究 总被引:2,自引:0,他引:2
为得到GaAs表面稳定的钝化层,以(NH4)2S为主要对象,首先研究不同溶剂对钝化效果的影响,得出溶液极性越小,钝化效果越好的结论;研制出一种新的钝化溶液:Se+(NH4)2S+叔丁醇。通过光致发光(PL)谱对比(NH4)2S+去离子水、(NH4)S2+异丙醇、(NH4)2S+叔丁醇、Se+(NH4)2S+叔丁醇等几种不同含硫溶液钝化GaAs(100)表面的发光特性。通过测试PL发光谱发现,Se+(NH4)2S+叔丁醇溶液处理的GaAs(100)表面发光强度最强,是未做钝化处理的25倍左右。钝化处理后的基片在空气中放置数小时,PL谱未见明显退化。得出Se+(NH4)2S+叔丁醇不论从发光强度还是稳定性来说,都是较为理想的钝化溶液。 相似文献
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