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金属/碲镉汞电极接触是红外焦平面探测器的重要组成部分,对器件的性能与稳定性影响较大。然而在碲镉汞金属化过程中,金属离子能量较高将有可能对碲镉汞表面造成损伤。本文采用了离子束沉积系统生长金属电极,探究了束流、束压以及热处理等条件对碲镉汞红外探测器接触性能的影响。研究表明,碲镉汞在生长电极后表面会受到一定程度的损伤;随着离子能量的升高,对材料表面损伤加剧。在I-V曲线中,电极沉积损伤较大的器件表现出软击穿现象;在热处理后,在一定程度上可以修复电极沉积时能量过大造成的损伤,提高了电极接触性能。 相似文献
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基于Sentaurus TCAD 软件对n-on-p型Hg1-xCdxTe红外探测器器件结构进行建模,并在不同电极尺寸条件下对器件的光电流进行仿真。通过仿真发现随着像元电极尺寸的减小,光电二极管反向电流也逐渐减小。针对这一现象从金属层对冶金结电势分布的影响和被吸收的光子数目Q两个角度进行了分析。金属层对半导体材料表面的电势分布具有调制作用,随着电极尺寸的减小,二极管的反向电流减小;随着像元电极尺寸的减小,被吸收的光子数目减小,导致光电二极管反向电流减小;以上两个方面都会引起光电二极管电流随着电极尺寸的减小而减小。 相似文献
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主要介绍了II类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3~5 μm及7~9 μm)对红外光的反射率,增强芯片的光响应率,从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计与制备工艺中的主要技术问题。根据探测器的使用环境对薄膜进行了相应的牢固性实验及测试。结果表明,此薄膜的光谱响应率和牢固度能充分满足探测器的要求。目前这项背增透薄膜制备工艺已是II类超晶格探测器生产中不可缺少的工艺步骤,应用前景良好。 相似文献
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