Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究

通过电流 电压 (I V)特性和传输线方法 (TLM )测量研究在n型GaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制。Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起了阻止Ti ,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在 4 0 0℃到 90 0℃范围内 ,Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升 ,到 5 0 0℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于6 0 0℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n GaN上Ti/Al/Ni/Au形成的接触电阻低达 9.6 5× 1 0 - 7Ωcm2 。最后还对两步合金法形成n GaN欧姆接触的机制进行了讨论。     

基于注射机健康监测的能量俘获技术研究

结合悬臂梁结构提出一种注射机非线性压电式能量俘获系统。针对能量俘获系统,基于非线性理论和压电方程,建立系统控制方程。采用Matlab软件对系统输出进行模拟仿真实验。模拟实验结果表明:在0.5 g幅值和0～80 Hz频率的加速度扫频激励下,所设计非线性系统的输出电压有效宽度能达到20 Hz,最大幅值能达到50 V,相对于线性系统输出电压最大值39 V和频带范围2 Hz,所设计的系统输出性能有明显提高。     

氟基等离子体处理对高Al组分AlGaN肖特基接触反向漏电的改善

在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处理的样品相比,经过处理的Al0.45Ga0.55N肖特基二极管在反向-10V的漏电流密度随处理时间的增加而减少,其中处理1min的样品的漏电流密度减少了5个数量级。X射线光电子谱分析证明了处理过的样品表面Ga-F和Al-F键的形成。反向漏电的减少可能是由氟基等离子体处理耗尽了电子和有效钝化了表面态导致的。     

基于内容的图像检索技术概述

近年来随着因特网的快速普及,如何快速准确地在海量图像中搜索到自己所需的图像显得十分重要。本文综述了基于颜色、纹理、形状图像检索技术的主要方法,讨论了性能评价方法,并指出了应用方向。     

MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离

利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的InGaN样品,观察到InN相.通过X射线衍射理论,计算得到InN相在InGaN中的含量.通过退火和变化生长条件发现InN相在InGaN薄膜中的含量与生长时N2载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关.进一步的分析表明InGaN合金中出现InN相的主要原因是相分离.     

浅谈多媒体技术在《3ds max 7．0三维动画设计与制作》课堂教学中的应用

多媒体技术具有集成性、交互性和可挖性的特点,在《3ds max 7．0三维动画设计与制作》课堂教学中应用多媒体技术可以激发学习兴趣,促进学生记忆,节约教学时间,提高教学质量。     

海湾水库咸化模拟

利用AQUASIM软件进行垂向一维建模,对不同条件下的海湾水库库水中盐分的时空分布进行模拟,进一步证实采取防咸措施的有效性及必要性。同时,对比不同的进出水条件的模拟结果,发现在未考虑水位变化(主要是水位下降过程)条件下,沐官岛水库每日供水带走的盐分对水库水体咸化并没有较大影响。     

浅谈Office2003与Office2010的区别

MicrosoftOffice2010,是微软推出的新一代办公软件,相对于Office2003来说,界面有很大改变,新增加了Backstage视图、用户共同协作和共享文档、屏幕截图、粘贴预览等功能,又对功能区和语言进行加强,使操作更简便、快捷。     

分层小水库沉积物-水界面热交换时空变化特征

通过对分层小水库沉积物和上覆水温度剖面的7次监测,计算沉积物-水界面的热交换通量,探讨沉积物与水之间热量交换的时空变化特征。结果表明:沉积物-水界面热交换通量具有明显的季节变化,在春夏季库水升温分层以及秋季降温混合时期由库水向沉积物传递热量;冬季由沉积物向库水释放热量。浅水区水温的日变化促使沉积物-水热交换具有明显日变化特征。库区内由于水深不同,热交换特征也存在空间差异,与坝前相比,水库中心水深较浅,春季热交换方向转变的时间早;水库中心夏季由水传向沉积物的最大热通量(106. 6 W/m2)高于坝前深水区(23. 8 W/m2)。夏季当水体透明度较高时,沉积物直接接受太阳辐射引起热交换方向改变为由沉积物向水传递。     

高Al组分AlxGa1-xN薄膜的弹性-塑性力学性质

采用纳米压痕方法,研究了AlN/sphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断("pop-in")行为,并且发现"pop-in"行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的"pop-in"行为随Al组分增加而减少.