InSb-IRCCD中PECVDSi_3N_4膜的工艺分析

本文主要叙述通过射频电场产生的辉光放电等离子体,在200～300℃的温度下淀积Si_3N_4膜.给出了实验条件、红外光谱仪分析膜组分的给果,简述了PECVDSi_3N_4膜在InSb红外CCD中的作用.     

铂-铱硅化物肖特基势垒红外探测器

已经制备了用硅化物做电极的肖特基势垒红外探测器,该电极是在p型硅衬底上,依次真空淀积5～10A的铂和10～20A的铱金属膜,经热退火后形成的。铂-铱肖特基二极管的势垒高度为0.16～0.19eV,与具有0.22eV的纯铂二极管相近,而探测器截止波长可延伸到6μm范围以外。而且,与单用铂或单用铱的二极管相比,在有效光谱范围内,铂-铱二极管呈现出较高的探测器量子效率。     

MSSBIRCCID焦平面阵列的进展(第二部分)

四、MSSBIRCCID焦平面阵列的典型结构固体图象传感器的基本结构是约于七十年代前半期确立的,主要依靠超大规模集成电路技术的发展,使其实用化。可是,为实现小型化、高分辨率,若按以往的方式欲缩小象元尺寸是非常困难的,因此,目前有必要重新研究其基本结构。以往的固体图象传感器的主要工作模式是行间转移(Interline Transfer——IT)CCD和MOS方式。在IT—CCD和MOS技术的基础上,1985年日本报导了480×400元CSD图象传感器。下面简要介绍CSD的结构、工作原理、特点及具有CSD结构的MSSBIRCCID焦平面阵列的典型结构。     

溅射Cd_xHg_(1-x)Te外延层上的32×32平面红外光伏镶嵌列阵

用溅射淀积方法,温度在250～300℃之间,人们已成功地在(111)CdTe衬底上生长出n型Cd_xHg_(1-x)Te外延层。外延层的厚度为10～30微米,其淀积速率通常取为2微米/小时。Cd组分为0.34的Cd_xHg_(1-x)Te外延层的典型电子浓度约为2×10~(16)厘米~(-3),在77K温度下,其霍尔迁移率为20000厘米~2伏~(-1)秒~(-1)。经退火后,该膜层可转变成P型。本文首次报导在溅射层衬底上制备的背照射32×32平面红外光伏镶嵌列阵的特性。这种列阵的混合结构已经制成,并且进行了评价,已获得的初步结果表明,这种镶嵌结构完全适用于混合式焦平面。     

LiTaO3热释电红外CCD图象传感器

通过热释电 LiTaO_3单晶与硅 CCD 结合研制成功64×32室温工作的CCD 红外图象传感器。LiTaO_3晶片用液态甘油粘附在硅 CCD 上,控制 MOS 栅的电荷注入。液态甘油介电常数大、热导率小、绝缘强度高。该 CCD 具备红外响应的基本特性,以其作了简单的摄象试验。     

CCD与CMOS图像传感器在微型摄像机中的应用

本文概述了CCD与CMOS图像传感器在微型摄像机和超微型摄像机中的应用。