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1.
采用标准CMOS工艺制备的n~+-p-π-p~+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益为50,在p层的最佳注入剂量为1.82×10~(12)/cm~2,峰值浓度深度为2.1μm左右的最佳工艺条件下,器件的工作电压为73.1 V,过剩噪声因子为4.59,过剩噪声指数在0.34~0.45之间(波长λ=800 nm),优于目前已报道的结果.通过工艺的优化,器件的性能可以得到进一步提高.  相似文献   
2.
3.
本文描述了一种与CMOS工艺完全兼容的热电堆微型热传导真空传感器.该传感器可在商业化的标准CMOS生产流水线上进行流片,配合后续的无掩模体硅各向异性腐蚀工艺,即可完成全部制造程序.器件敏感部分为124μm×100μm的多层复合薄膜架空结构,其卜制作了n型多晶硅加热器、20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆.利用加热器对复合薄膜加热,在不同的真空状态下,薄膜呈现不同温度,温度值由热电堆转换为温差电动势输出.本文在以下方面进行详细描述:1.器件的结构设计和制造工艺;2.器件的稳态和瞬态有限元分析;3.测试结果与理论分析的对照.结果表明,在加热器1.5V恒压驱动条件下,器件的气压敏感范围为0.1Pa~l05Pa(空气),此时热电堆输出电压范围为26mV~50mV,最大响应时间预计为1.4ms.  相似文献   
4.
发展了一种与CMOS工艺完全兼容并可在商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线上进行流片的硅基热电堆真空传感器的制造技术与流程.传感器为悬浮的多层复合薄膜结构,其上制作了n型多晶硅加热器和20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆.利用标准制造工艺中铝层图形的掩蔽作用,使用干法刻蚀工艺一方面去除了传感器表面的SiNx层,使复合介质薄膜减至三层介质,即场氧化层、硼磷硅玻璃和层间介质,从而提高了传感器响应率;另一方面去除了传感器区域内腐蚀孔中的多层介质,将其中的硅衬底裸露,以便完成后续的四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅各向异性腐蚀工艺,使传感器成为悬浮绝热结构,这种工艺具备铝保护性能,因此腐蚀中无需任何掩模.最终得到的器件尺寸为124 μm×100 μm,在空气压强为0.1 Pa~105 Pa之间的响应电压为26 mV~50 mV,响应时间为0.9 ms~1.3 ms.这种器件的制造技术具有工艺简单、成品率高、成本低、重复性好等特点.  相似文献   
5.
本文提出了一种新的混成式神经元探针阵列结构,并采用新的制备流程制作了规模为10×10的神经元探针阵列。制备流程主要包括倒焊互联工艺和多刀片切割工艺,倒焊工艺将厚硅片直接倒焊到读出电路上,多刀片切割工艺直接将硅片切割成硅针阵列。该制备流程不包含高温工艺和硅腐蚀工艺,不损伤电路,实现了硅针阵列与电路直接集成,从而简化了接口,降低了引脚数量,芯片的硅针规模可以不受引线口数量限制。  相似文献   
6.
7.
一幅好的工笔花鸟作品应该是感悟和技法结合得比较完美,使欣赏者赏心悦目,从赏心悦目到哲理思辩,在花鸟画的成熟过程中也不断赋予哲学内涵,上升为花鸟的绘画之"道",花鸟画已成为人类文明不可缺少的独具东方特色的大道,其历史源远流长,其成果浩如烟海,可谓中华一绝.  相似文献   
8.
薄膜转移工艺制备的128×128规模高架桥式电阻阵   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用新的薄膜转移工艺,成功制备了128×128规模的高架桥式电阻阵。电阻阵的单元尺寸为50μm×50μm,占空比50%。初步测试了该高架桥电阻阵的两个基本指标,微桥的热时间常数和最高等效黑体温度,并对该电阻阵进行了成像实验。采用电学法测试单个微桥的时间常数τ约为4.5 ms,可在100Hz下工作。将整个面阵点亮,在8~12μm波段最高等效黑体温度达到250℃,推测在3~5μm波段最高等效黑体温度超过300±20℃。将整个器件全部点亮并驱动到最高温度时,器件的最大功率为30 W。该电阻阵可成功实现驱动显示成像。测试结果表明该高架桥式电阻阵初步满足红外景象产生器的要求。  相似文献   
9.
通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率。  相似文献   
10.
提出了一种基于0.35 μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode, APD)。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离(Separate Absorption, Charge and Multiplication, SACM)的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层,并不需要任何工艺修改,这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明,横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M = 10和M = 50时,暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450 ~ 1050 nm。当反向偏置电压为20 V,即M = 1时,峰值响应波长约为775 nm。当单位增益 (M = 1) 时,在532 nm处的响应度约为最大值的一半。  相似文献   
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