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1.
本文提出了一种实现离散余弦变换子空间失真测度矢量编码算法的VLSI结构。  相似文献   
2.
一种适合JPEG2000的离散小波变换VLSI统一结构   总被引:7,自引:0,他引:7  
华林  朱柯  周晓芳  章倩苓 《微电子学》2003,33(4):280-283,287
提出了一种基于提升算法(1ifting)的离散小波变换(DWT)统一结构。它无需额外的边界延拓过程,经配置后可适用于JPEG2000中的无损或有损小波变换。通过将边界延拓过程内嵌于离散小波变换中,可以降低功耗,减少所需内存。为了达到更高的处理速度和硬件利用率,采用了流水线和折叠结构。这种高效紧凑的离散小波变换结构适用于JPEG2000编码器和各种实时图像/视频应用系统.  相似文献   
3.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计   总被引:5,自引:2,他引:3  
张海清  章倩苓 《半导体学报》2003,24(11):1154-1158
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.  相似文献   
4.
对电源及温度不敏感的电流可调的CMOS电荷泵电路的设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
设计了一种电流可调的CMOS电荷泵电路 ,其中采用了带隙基准源、低drop out调压器及电容式直流 直流电压升压器为电荷泵电路提供电源电压 ,此电压不受外部供电电压及温度变化的影响 ;同时 ,电荷泵电路中的参考电流源本身也对温度变化不敏感 .电路设计采用 0 18μm 1 8V标准的数字CMOS工艺 .模拟结果表明电路性能令人满意.  相似文献   
5.
四、晶体管正弦振荡器利用结型晶体管可产生低频和高频的正弦振荡,它们在形式上与电子管自激振荡器有许多相似之处,如在电子管电路中有调板式、哈特莱式、考毕兹式等LC振荡器,在晶体管中也可有对应的形式,但在具体讨论时,晶体管电路有其特殊要求.在此,只简单分析晶体管振荡器的起振条件及振荡频率,故可用线性方法进行分析,而把晶体管看成是线性有源的器件.  相似文献   
6.
适用于MPEG2标准的二种VLSI模块设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
叶波  俞颖  章倩苓 《半导体学报》1998,19(12):919-926
本文提出了MPEG2视频解码器主要功能模块的专用VLSI结构.其中包括一种新的适用于MPEG2标准的IDCT实现方法,对于8点一维IDCT,只用7个变量乘常系数乘法器和10个加/减法器,在4个时钟周期内能处理完8点数据;通过合理分配画面存储结构,提出了一种新的流水线的运动补偿预测结构.用VHDL语言进行仿真,并用1.0μmCMOS单元库进行综合,满足MPEG2MP@ML视频解码的实时处理要求  相似文献   
7.
周汀  章倩苓  李蔚  李清 《半导体学报》1997,18(10):765-770
本文提出了一种实现相关矢量量化图象编码算法的VLSI结构.该结构根据相关矢量量化编码算法,利用相邻图象块编码地址的相关性,提高编码效率,并采用特殊设计的图象边缘块处理方法,降低实现复杂度.本文详细讨论了相关矢量量化图象编/解码器各部分的VLSI实现结构,并介绍了电路设计与模拟结果.  相似文献   
8.
高速Huffman解码器设计与实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
丁保延  陈亮  章倩苓 《电子学报》1998,26(11):29-32
本文设计了一种新的Huffman解码器的算法,它不仅能够减少常规算法对存储空间的要求,更为重要的是它能够在一个进钟节拍中和多个数据,具有明显的优点,最后以JPEG为例描述了它的VLSI实现方案。  相似文献   
9.
使用拟牛顿(Newton)算法,不同计算Jacobi矩阵,保留了Newto法的超线性收敛特性,是求解大规模非线性方程组的有效方法。文章提出了应用拟Newton法快速求解电路周期稳态响应的拟Newton打靶法和拟Newton谐波平衡法。实验结果表明,拟Newton打靶法和拟Newton谐波平衡法具有较高的计算效率。  相似文献   
10.
适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文利用本征函数方法,采取一定的边界条件,得到了二维泊松方程的解析解.并由此导得适用于亚微米沟道MOS场效应管阈值电压的解析表达式.本解析模型未引进复杂的几何结构参数及经验参数,适用于不同的衬底反偏电压、漏极电压等条件.这些结果与数值模拟的结果以及有关实验的结果符合得较好,对短沟道MOSFET的设计及性能的了解有实际参考价值.  相似文献   
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