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2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计 总被引:5,自引:2,他引:3
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A. 相似文献
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四、晶体管正弦振荡器利用结型晶体管可产生低频和高频的正弦振荡,它们在形式上与电子管自激振荡器有许多相似之处,如在电子管电路中有调板式、哈特莱式、考毕兹式等LC振荡器,在晶体管中也可有对应的形式,但在具体讨论时,晶体管电路有其特殊要求.在此,只简单分析晶体管振荡器的起振条件及振荡频率,故可用线性方法进行分析,而把晶体管看成是线性有源的器件. 相似文献
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适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用本征函数方法,采取一定的边界条件,得到了二维泊松方程的解析解.并由此导得适用于亚微米沟道MOS场效应管阈值电压的解析表达式.本解析模型未引进复杂的几何结构参数及经验参数,适用于不同的衬底反偏电压、漏极电压等条件.这些结果与数值模拟的结果以及有关实验的结果符合得较好,对短沟道MOSFET的设计及性能的了解有实际参考价值. 相似文献