电容器高频参数的测量和应用

本文论述用于集中参数和分布参数电路的电容器的高频参数,介绍测量电容器高频参数的传输法原理和计算公式,给出了常用电容器的高频参数和部分阻抗频率特性曲线,并对测量结果进行了分析,提出了改进电子元件结构设计的途径,说明了利用高频参数正确选择和合理使用电容器的定量方法。     

加强电子生产工程研究开发 提高我国电子元件的国际竞争能力

<正> 我厂第二研究所建所三十年来,与电子元件生产工艺紧密结合,为工厂技术改造作出了卓越贡献。在省、市政府和机械电子工业部的关怀和支持下,以二所为主体,组建成的四川电子生产工程研究开发中心,必将对推动电子元件大生产技术的发展作出新的贡献。     

新型片式元件与材料发展现状与展望

片式元件是90年代后适应表面贴装技术发展起来的新型元件，代表着世界电子元件的发展趋势。随着集成电路技术，数字化技术和便携式电子设备的发展，其品种，数量正在不断扩大，价格也不断下降，片式化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一。[编按]     

微波介质材料与器件的发展

详细论述了微波介质材料与器件国内外现状和技术发展趋势, 分析了应用前景和国内市场需求,对我国“十一·五”发展方向和重点研究课题提出了建议。     

Ba2Ti9O20高频介质陶瓷结构和介电性能

主要研究了Ba2TioO20陶瓷的结构和介电性能。通过在Ba2Ti9O20、TiO2中添加适量的ZnO、Nb2O5，在1260℃烧成了介电性能优良的Ba2Tio920陶瓷。XRD研究表明，其主晶相为Ba2Ti9O20,附加晶相为Ba2Ti9O9、Ba3Ti12Zn7O34、Ti2Nb10O29。     

Ba_2Ti_9O_(20)高频介质陶瓷结构和介电性能

主要研究了Ba2 Ti9O2 0 陶瓷的结构和介电性能。通过在BaCO3、TiO2 中添加适量的ZnO、Nb2 O5,在 12 6 0℃烧成了介电性能优良的Ba2 Ti9O2 0 陶瓷。XRD研究表明 ,其主晶相为Ba2 Ti9O2 0 ,附加晶相为Ba2 Ti9O9、Ba3Ti12 Zn7O34 、Ti2 Nb10 O2 9