0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为0 .2 5 μm的Ga As基In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达4 90 m A/ mm,截止频率为75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.     

0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.     

矿山生态环境恢复治理存在的问题及对策探讨

随着人类经济社会的发展,矿产资源的开采和利用越来越广泛,然而其对生态环境造成的破坏也越来越明显。为了防止矿山活动对生态环境的破坏,政府部门和社会团体都制定了相关的环保政策和规定。但在实际操作中,仍然存在矿山生态环境恢复治理技术手段不足、管理机制不完善、后续监管不到位等问题。针对这些问题,需要制定相应的对策,推动完善矿山生态环境恢复治理工作,以实现可持续发展。文章将对矿山生态环境恢复治理存在的问题进行深入分析,提出应对措施,以期为矿山生态环境恢复治理提供科学参考和技术支撑,推动矿山生态环境的可持续发展。