用自动旋转椭圆偏振光谱仪测定Al_xGa_(1-x)As外延层的x值(英文)

This paper has analyzed the AlxGa1 xAs liquid-phase epitaxy layer by Automatic Rotating-Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. The energy of the incident light ranges from 1.959eV to 4.300eV. The refractivity n and extinction coefficient k of the epitaxy layer are found to be regularly changed with the x-values of the epitaxy layer.The n-E spectrum displayed a obvious peak among the measured values and the energy position related to the peak increases with increasing of x, which can be written as E= 2.88+ 0.87x. Thus the x value of the epitaxy layer can be obtained from the peak position of the n-E spectrum of the AlxGa1-xAs epitaxy layer by Automatic Rotating Analyzer Spectroscopic Ellipsometer.     

AlGaAs/GaAs HBT能量输运模型

在弛豫时间近似条件下，由波尔兹曼输运方程的前三阶推导出能模拟ＨＢＴ性能的流体动力学传输模型．分析了能量（动量）方程中的各个物理量，考虑了不同能谷散射对能量弛豫时间影响，计入了电子能量中的漂移动能，同时考虑了异质结能带的各种效应．使用牛顿法同时求解一维稳态方程组，分析了典型结构的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件工作物理图像．     

红外辐照退火硼离子注入硅的后热处理特性研究

本文研究了硼离子注入硅经红外辐照退火后的热处理特性.实验发现,对于20keV,3.5×10~(14)cm~(-2)~(11)B离子注入硅样品,经10秒到几十秒红外辐照后再进行不同温度的后热处理,表面薄层电阻随退火温度呈规律性变化,在1050℃附近达到最小值,此时杂质的电激活率大于100%.     

集成化平面肖特基变容管微波C-V特性物理模型

提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段 C- V特性物理模型 ,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段 C- V特性的影响 ,揭示了集成化平面肖特基变容管 C- V特性对频率的依赖 ,并对变容比作了讨论。模型与实验结果符合得很好     

用高频C-V特性测量表面势和界面陷阱密度及其分布

本文基于对MOS结构耗尽-弱反型区C-V特性的理论分析,提出了一种利用高频C-V特性直接测量半导体表面势和界面陷阱密度及其按能量分布的简便方法,减少了测量分析的计算量,降低了对样品的要求。本文还给出了一些实验样品的测试结果。     

半导体断路开关(SOS)特性研究

本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试。制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺．但其制作工艺的关键在于深结的扩散。在pn结足够深时才能产生SOS效应。描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能。测试结果表明所研制的样品性能达到了与国外水平。     

HEMT及其界面态效应的二维数值模拟

本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs HEMT进行了模拟,讨论了 HEMT的内部工作机制,特别是异质结效应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性能的影响。模拟结果表明界面态对HEMT的特性有显著的影响.     

非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据

用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。