“蜗斗”钻进成孔钻孔桩与静压灌浆在地基处理中的应用

通过工程实例介绍“蜗斗”钻进成孔钻孔桩与静压灌浆在建筑群密集且地下潜水及地表水丰富地段的地基处理情况     

填充墙框架与地基、基础共同作用的研究

采用计算机对框架、地基、基础及填充墙共同作用下的框架进行内力计算，并通过工程算例对该方法作了验证，计算结果对框架的内力计算有一定参考价值。     

一种无电阻高精度基准电压源

基于TSMC 0.18 μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55 ℃~125 ℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10-7/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB。当电源电压在2.5~5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V。     

物业管理的信息化和实用化研究

从实用角度阐述了物业管理系统的模块化设计原则、技术和实现方法 ,从而实现小区物业的微机化、信息化、网络化管理。     

一种内嵌EEPROM的双电源数字电位计设计

设计了一种基于嵌入式EEPROM工艺的双电源数字电位计。通过两线的I2C总线来控制电路内部EEPROM单元,调节数字电位计的输出电阻或电压。电路采用正负电源供电,同时集成了两路256个抽头可变电位计输出。由于内部集成了EEPROM单元,当电路突然掉电后依然保存抽头设置信息,重新上电后,自动恢复到掉电前电阻抽头的设定位置。该电路采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺设计,版图面积为6.76 mm2,采用Hsim对整个电路进行仿真。仿真和测试结果表明,该电位计电路的整体非线性小于±1 LSB,级间非线性小于±0.5 LSB,输出电阻温度系数小于±100×10-6/℃,EEPROM上电恢复时间小于5 ms,可广泛应用于控制系统、参数调整和信号处理领域。     

“蜗斗”钻进成孔钻孔桩与静压灌浆在地基处理中的 应用

通过工程实例介绍“蜗斗”钻进成孔钻孔桩与静压灌浆在建筑群密集且地下潜水及地表水丰富地段的地基处理情况。     

填充墙框架与地基、基础共同作用的研究

采用计算机对框架、地基、基础及填充墙共同作用下的框架进行内力计算,并通过工程算例对该方法作了验证,计算结果对框架的内力计算有一定参考价值.     

技术成熟度保障评价方法在科研新产品研制中的应用

基于科研新产品研制过程,从确定技术成熟度指标、评价技术成熟度风险等级等方面阐述技术成熟度保障评价方法的具体应用。结合实际案例分析,针对控制程序和流程进行优化,建立技术成熟度评价模型,利用状态交通信号灯评价、状态实时监控等方法分析技术成熟度评价标准及要求存在的不足,并提出优化建议,有利于提高产品质量和研发团队管理能力。