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本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率的倍频源和高灵敏度的检测器(检波器和谐波混频器).0.15THz检波器测得最高检波电压灵敏度1600mV/mW,在0.11~0.17THz灵敏度典型值为600mV/mW,切线灵敏度优于-29dBm.0.15THz二倍频器测得最高倍频效率7.5%,在0.1474~0.152THz效率典型值为6.0%.0.18THz二倍频器测得最高倍频效率14.8%,在0.15~0.2THz效率典型值为8.0%.0.15THz谐波混频器测得最低变频损耗10.7dB,在0.135~0.165THz变频损耗典型值为12.5dB.0.18THz谐波混频器测得最低变频损耗5.8dB,在0.165~0.2THz变频损耗典型值为13.5dB,在0.21~0.24THz变频损耗典型值为11.5dB. 相似文献
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(英)基于肖特基平面二极管的150 GHz和180 GHz固定调节式倍频源 总被引:2,自引:2,他引:0
利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体电路性能,提取相应的S参数文件,分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%,在147.4~152 GHz效率典型值为6.0%;180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%,在150 ~ 200 GHz效率典型值为8.0%. 相似文献
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文章介绍一种基于肖特基二极管的预失真器及其工作原理。预失真器主要由一个肖特基二极管和直流偏置电阻组成,利用二极管的非线性,产生与功放相反的幅度失真与相位失真。通过调节二极管的偏压来调整预失真器的工作状态,使功率放大器在不同输出功率下得到最好的线性度改善。设计实际电路经实验发现,对于应用在C波段的某功率放大器,在不同的输出功率下IMD3的改善不同。在功率放大器1dB增益压缩点处IMD3改善了5dB,而在其他功率点处IMD3最大甚至可以改善20dB。 相似文献
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基于分立式GaAs肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50 μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻抗匹配电路.在202 GHz,测得最高倍频效率为9.6%,当输入驱动功率为85.5 mW时,其输出功率为8.25 mW;在190~225 GHz,测得倍频效率典型值为7.5%;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦,性能达到了国外文献报道的水平. 相似文献
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罗运生 《固体电子学研究与进展》1984,(4)
<正> 各种微波电路部件正日益广泛地应用于各种通讯设备中,三次交调特性的测量是对部件各种特性测量的重要环节。特别是对于各种低噪声前端,往往要测量它们小信号时的交调特性,由于仪表灵敏度的限制或由于背景噪声的影响,三次交调这个参数用常规方法往往测不准或根本无法测出。下面介绍一种用外推法测量微波低噪声部件三次交调特性的方法。 众所周知,理想的线性电路输入输出信号的频谱是不变的,也就是说信号通过这种部件并不会产生新的频率分量。但是由于实际电路总是或多或少的带有非线性,因此当有两个以上的载波频率输入到部件中后,其输出端除了输入频率分量之外,还会出现一系列的组合频 相似文献
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罗运生 《固体电子学研究与进展》1981,(1)
本文叙述了用于卫星通讯地面站的4千兆赫非冷参放的电路设计,考虑了变容二极管串联电阻趋肤效应的影响以及讨论了双调谐信号电路的设计方法.参放采用零偏压截止频率高于650千兆赫的变容二极管;57千兆赫耿氏振荡器作泵源;低损耗四端环行器和热电致冷到-40℃的环境下工作.获得的结果是:在中心频率下参放本身的噪声温度为23~25°K,考虑到环行器、输入电路损耗及后级贡献,整个系统噪声温度为37~47°K. 相似文献
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Two broadband detectors at W-band and D-band are analyzed and designed with low barrier Schottky diodes. The input circuit of the detectors is realized by low and high impedance microstrip lines, and their output circuit is composed of a radio frequency (RF) bandstop filter and a tuning line for optimum reflection phase of the RF signal. S-parameters of the complete circuit are exported to a circuit simulator for voltage sensitivity analysis. For the W band detectors, the highest measured voltage sensitivity is 11800 mV/mW at 100 GHz, and the sensitivity is higher than 2000 mV/mW in 80-104 GHz. Measured tangential sensitivity (TSS) is higher than-38 dBm, and its linearity is superior than 0.99992 at 95 GHz. For the D band detector, the highest measured voltage sensitivity is 1600 mV/mW, and the typical sensitivity is 600 mV/mW in 110-170 GHz. TSS is higher than-29 dBm, and its linearity is superior than 0.99961 at 150 GHz. 相似文献