音频功放环路频率响应的测试

音频功放的稳定性是由环路频率响应的增益与相位曲线决定的。在设计时可以通过仿真软件分析,在实际测试时由于测试误差和动态范围的限制很难得到准确的结果。本文以AB类音频功放为例,介绍了一种采用网络分析仪的增益和相位端口,测试环路频率响应的方法。     

音频功率放大器分类及在系统设计中的应用

随着集成电路设计技术的提高,利用模拟功率放大器进行模拟信号放大,如A类、B类放大器由于效率很低,基本上被淘汰。不同类型的数字放大器逐渐普及。这种放大器直接从数字语音数据实现功率放大,而不需要进行模拟转换,这样的放大器通常称作数字功率放大器或者D类放大器。D类功放电路BL6311可按照系统要求配置成单端输入和差分输入两种使用方式。     

程控交换机专用接口电路的技术创新

程控交换机专用接口电路是上海贝岭公司拥有多项知识产权的大规模集成电路产品。本文以CSLIC电路(中国版用户接口电路)为例，详细介绍了上海贝岭公司在这种产品的设计、工艺、封装和工程分析等多个领域的技术创新成果。     

液晶驱动电路在智能电网系统中的应用

通用液晶驱动器可以应用在早期的电子计量式电表中,随着我国智能电网的发展,对液晶驱动电路也提出了新的应用要求。通用液晶驱动电路主要是飞利浦的PCF8566和PCF8576,以PCF8576为例,该电路因为有级联功能,可以满足更多段位的显示驱动要求,正好可以用在电子计量式电表中作为显示驱动芯片。通用显示驱动电路可以满足一般的段位显示的液晶驱动的要求,该显示方法较为简便。但是对于智能电网这样的工业级应用,有很多     

D类音频功率放大器的设计

BL6352是一款输出功率可达15W的双声道D类音频功率放大器芯片。BL6352既可放大两路音频信号,驱动8Ω的立体声扬声器,也可以作为全差分放大器,桥接单一扬声器。该放大器主要应用在平板电视,有源音箱等大功率音响领域。该电路采用BCD工艺和滤波器设计,以及ESD和封装散热考虑完成了这一电路的设计。     

硼扩散引起薄SiO2栅介质的性能退化

采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深亚微米CMOS工艺中被采纳.但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内,引起阈值电压不稳定和栅介质击穿性能变差.迄今为止对硼扩散退化薄栅介质可靠性的认识并不是很明朗,为此本文考察了硼扩散对薄栅介质击穿电荷和Fowler-Nordheim (FN)电应力产生SiO2/Si界面态的影响.     

高职实训教学中电动机控制线路的探讨

实训教学中，电动机正反转和降压启动中的星形-三角形启动方式控制线路较为复杂，在教学中，如何让学生更好的学会两种控制电路的连接方式以及如何接受其控制线路的原理，是实训教学的重点和难点。     

辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应

本文研究了制作ＪＦＥＴ／ＳＯＳ（蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管）的方法,采用扩散形成栅极ｐ＋ｎ浅结以及复合注入的方法形成导电沟道,在不同的工艺条件下可得到增强型和耗尽型器件．通过Ｃｏ６０源的γ射线辐射实验发现这种器件具有良好的抗总剂量辐射性能,在５Ｍｒａｄ（Ｓｉ）剂量时阈值电压的变化小于０１Ｖ,跨导以及漏电流的变化都很小     

薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用

亚微米 CMOS/ SOS器件发展对高质量的 1 0 0 - 2 0 0纳米厚度的薄层 SOS薄膜提出了更高的要求 .实验证实 :采用 CVD方法生长的原生 SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进 .该工艺包括 :硅离子自注入和热退火 .X射线双晶衍射和器件电学测量表明 :多晶化的 SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高 .固相外延改进的薄层 SOS薄膜材料能够应用于先进的 CMOS电路 .     

薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用

亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100-200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求.实验证实;采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进.该工艺包括:硅离子自注入和热退火.X射线双晶衍射和器件电学测量表明:多晶化的SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高.固相外延改进的薄层SOS薄膜材料能够应用于先进的CMOS电路.